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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29WS128N0LBFI113 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 256/128/64 MEGABIT CMOS 1.8 VOLT ONLY SIMULTANEOUS READ/WRITE BURST MODE FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 256/128/64兆位的CMOS 1.8伏只有同時(shí)讀/寫突發(fā)模式閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 70/99頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1091K |
| 代理商： | S29WS128N0LBFI113 |
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70
S29WS-N_00_G0 January 25, 2005
Adva nce
Information
11.8.3 Timing Diagrams
Notes:
1. Figure shows total number of wait states set to five cycles. The total number of
wait states can be programmed from two cycles to seven cycles.
2. If any burst address occurs at “address + 1”, “address + 2”, or “address + 3”,
additional clock delay cycles are inserted, and are indicated by RDY.
3. The device is in synchronous mode.
Figure 11.7. CLK Synchronous Burst Mode Read
Da
Da + 1
Da + n
OE#
Data (n)
Addresses
Aa
AVD#
RDY (n)
CLK
CE#
tCES
tACS
tAVC
tAVD
tACH
tOE
tRACC
tOEZ
tCEZ
tIACC
tAOE
tBDH
5 cycles for initial access shown.
18.5 ns typ. (54 MHz)
Hi-Z
12
3
4
5
6
7
tRDYS
tBACC
Da + 3
Da + 2
Da
Da + 1
Da + n
Data (n + 1)
RDY (n + 1)
Hi-Z
Da + 2
Da
Da + 1
Da + n
Data (n + 2)
RDY (n + 2)
Hi-Z
Da + 1
Da
Da + n
Data (n + 3)
RDY (n + 3)
Hi-Z
Da
tCR
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PDF描述 |
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