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參數資料
| 型號： | S29JL032H70TAI222 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封裝： | MO-142DD, TSOP-48 |
| 文件頁數： | 14/66頁 |
| 文件大小： | 1556K |
| 代理商： | S29JL032H70TAI222 |
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14
S29JL032H
S29JL032HA11 2005
年
3
月
9
日
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
ワード
/
バイト構成
BYTE#
端子により，デバイスのデータ入出力端子がバイト構成，ワード構成のどちらで作
動するかが決まります。
BYTE#
端子を論理「
1
」にセットすると，デバイスはワード構成
となり，
DQ15
～
DQ0
がアクティブとなって，
CE#
および
OE#
により制御されます。
BYTE#
端子を論理「
0
」にセットすると，デバイスはバイト構成となり，データ入出力端
子
DQ7
～
DQ0
のみがアクティブとなって，
CE#
および
OE#
により制御されます。デー
タ入出力端子（
DQ14
～
DQ8
）はトライステートとなり，
LSB
（
A-1
）アドレス機能の入
力として
DQ15
端子を使用します。
アレイデータをリードするための要件
出力からデータアレイをリードするには，システムは
CE#
端子と
OE#
端子を
V
IL
にしな
ければなりません。
CE#
は電力制御を行ない，デバイスを選択します。また，
OE#
は出
力制御を行ない，データアレイを各出力ピンへ送出します。
WE#
は，
V
IH
に保持する必要
があります。
BYTE#
端子により，デバイスがデータアレイをワード，バイトのどちらで出
力するかが決まります。
電源投入時，またはハードウェアリセット後，內部のステートマシンはデータアレイのリー
ド狀態(tài)に設定されます。これにより，電源変動時でも，メモリの內容が誤って変更されな
いようにしています。このモードでデータアレイをリードする場合，コマンドは特に必要
ありません。標準マイクロプロセッサのリードサイクルで，デバイスのアドレス入力へ有
効なアドレスをアサートすると，デバイスのデータ出力から有効なデータが出力されます。
コマンドレジスタの內容が変更されるまで，各バンクはリードアクセス可能狀態(tài)です。
タイミング仕様については
AC
特性の「リードオンリ動作」の表を，また，タイミング図
については図
13
を參照してください。
DC
特性表の
I
CC1
は，データアレイのリード時に
おけるアクティブ電流仕様を表しています。
コマンド
/
コマンドシーケンスのライト
コマンドまたはコマンドシーケンスをライトするには（デバイスへのデータのプログラミ
ングやメモリセクタのイレーズ動作を含みます），システムは
WE#
および
CE#
を
V
IL
に，
また，
OE#
を
V
IH
にセットしなければなりません。
書込み動作の場合，
BYTE#
端子により，デバイスがバイト，ワードのどちらのプログラム
データを受付けるかが決まります。詳しくは「ワード
/
バイト構成」
を參照してください。
このデバイスは，高速プログラミングを可能にする
ます。アンロックバイパスモードでは，ワードまたはバイトのプログラムに必要なライトサ
イクルが
4
回ではなく，
2
回のみとなります。標準モードとアンロックバイパスモードの両
モードで，コマンドシーケンスによりデバイスにデータをプログラムする方法については，
「バイト
/
ワードプログラムコマンドシーケンス」のセクションで詳しく説明します。
アンロックバイパス
モードを搭載してい
イレーズ動作では，指定されたセクタまたは複數のセクタをイレーズすることが可能で
あり，デバイス全體をイレーズすることも可能です。各セクタが占有するアドレス空間
を表
3
および表
4
に示します。同様に，「セクタアドレス」とは，セクタを一意的に選択
するのに必要なアドレスビットのことです。セクタやチップ全體を消去したり，イレー
ズ動作の中斷
/
復帰については，「コマンドの定義」のセクションで詳しく説明します。
このデバイスのアドレス空間は
4
つのバンクで構成されています。「バンクアドレス」と
は，バンクを一意的に選択するのに必要なアドレスビットのことです。
DC
特性表の
I
CC2
は，ライトモード時におけるアクティブ電流仕様を示しています。また，
ライト動作のタイミング仕様表，およびタイミング図については，「
AC
特性」のセクショ
ンを參照してください。
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29JL032H70TAI223 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TAI310 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TAI311 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TAI312 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TAI313 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| S29JL032H70TAI223 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TAI310 | 功能描述:閃存 32M (4MX8/2MX16) Simultaneous R/W RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| S29JL032H70TAI311 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TAI312 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H70TAI313 | 功能描述:閃存 32MB CMOS 3.0V 70ns TOP SECTOR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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