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參數(shù)資料
| 型號： | S29GL256M10TFIR10 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | MOSFET, Switching; VDSS (V): 60; ID (A): 6; Pch : 2?3?; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.028; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: [0.04]; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 1000; toff (µs) typ: 0.06; Package: SOP-8 |
| 中文描述： | 16M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PDSO56 |
| 封裝： | LEAD FREE, MO-142EC, TSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 155/160頁 |
| 文件大?。?/td> | 2142K |
| 代理商： | S29GL256M10TFIR10 |
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April 30, 2004 S29GLxxxM_00A5
S29GLxxxM MirrorBit
TM
Flash Family
155
P r e l i m i n a r y
Physical Dimensions
FPT-48P-M19
+.003
–
0.08
+0.03
.007
0.17
"A"
(Stand off height)
0.10(.004)
(Mounting
height)
(.472
±
.008)
12.00
±
0.20
LEAD No.
48
25
24
1
(.004
±
.002)
0.10(.004)
M
1.10
.043
+0.10
–
0.05
+.004
0.10
±
0.05
(.009
±
.002)
0.22
±
0.05
(.787
±
.008)
18.40
±
0.20
20.00
±
0.20
(.724
±
.008)
INDEX
0~8
0.25(.010)
0.50(.020)
0.60
±
0.15
(.024
±
.006)
Details of "A" part
*
*
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL256M10TFIR12 | MOSFET, Switching; VDSS (V): 60; ID (A): 6; Pch : 2/3; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.028; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: [0.04]; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 1000; toff (µs) typ: 0.06; Package: SOP-8 |
| S29GL256M10TFIR13 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL256M10TFIR20 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL256M10TFIR22 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL256M10TFIR23 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| S29GL256M11FAIR20 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 256M-Bit 32M x 8/16M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
| S29GL256M11FFIR10 | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3V/3.3V 256Mbit 32M/16M x 8bit/16bit 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray 制造商:Spansion 功能描述:Flash Memory IC |
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