- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359756 > S29GL128P11TFIR12 (Spansion Inc.) 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29GL128P11TFIR12 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| 中文描述： | 3.0伏只頁(yè)面模式閃存具有90納米MirrorBit工藝技術(shù) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 67/77頁(yè) |
| 文件大小： | 2121K |
| 代理商： | S29GL128P11TFIR12 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)當(dāng)前第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)
November 8, 2007 S29GL-P_00_A7
S29GL-P MirrorBit
Flash Family
67
D a t a
S h e e t
( P r e l i m i n a r y )
12. Appendix
This section contains information relating to software control or interfacing with the Flash device. For
additional information and assistance regarding software, see
Section 5.
For the latest information, explore
the Spansion web site at
www.spansion.com
.
12.1
Command Definitions
Writing specific address and data commands or sequences into the command register initiates device
operations. Tables
12.1
–
12.4
define the valid register command sequences.
Writing incorrect address and
data values or writing them in the improper sequence can place the device in an unknown state.
A reset
command is then required to return the device to reading array data.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL128P90FAI012 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P90FAIR10 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P90FAIR12 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P90FAIV10 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P90FAIV12 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL128P11TFIV10 | 功能描述:閃存 128MB 2.7-3.6V 110ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| S29GL128P11TFIV13 | 功能描述:閃存 128M 3.0V 110ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| S29GL128P11TFIV20 | 制造商:Spansion 功能描述: 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 128MBIT 16MX8/8MX16 110NS 56TSOP - Trays 制造商:Spansion 功能描述:SPZS29GL128P11TFIV20 IC 128M PAGE-MODE |
| S29GL128P11TFIV23 | 制造商:Spansion 功能描述:SPZS29GL128P11TFIV23 IC 128M PAGE-MODE |
| S29GL128P90FAIR10 | 功能描述:閃存 128MB 3.0-3.6V 90ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。