- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄385801 > S29GL128M90TFIR80 (Spansion Inc.) 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29GL128M90TFIR80 |
| 廠(chǎng)商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| 中文描述： | 3.0伏只頁(yè)面模式閃存具有0.23微米工藝技術(shù)的MirrorBit |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 143/160頁(yè) |
| 文件大小： | 2142K |
| 代理商： | S29GL128M90TFIR80 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)第94頁(yè)第95頁(yè)第96頁(yè)第97頁(yè)第98頁(yè)第99頁(yè)第100頁(yè)第101頁(yè)第102頁(yè)第103頁(yè)第104頁(yè)第105頁(yè)第106頁(yè)第107頁(yè)第108頁(yè)第109頁(yè)第110頁(yè)第111頁(yè)第112頁(yè)第113頁(yè)第114頁(yè)第115頁(yè)第116頁(yè)第117頁(yè)第118頁(yè)第119頁(yè)第120頁(yè)第121頁(yè)第122頁(yè)第123頁(yè)第124頁(yè)第125頁(yè)第126頁(yè)第127頁(yè)第128頁(yè)第129頁(yè)第130頁(yè)第131頁(yè)第132頁(yè)第133頁(yè)第134頁(yè)第135頁(yè)第136頁(yè)第137頁(yè)第138頁(yè)第139頁(yè)第140頁(yè)第141頁(yè)第142頁(yè)當(dāng)前第143頁(yè)第144頁(yè)第145頁(yè)第146頁(yè)第147頁(yè)第148頁(yè)第149頁(yè)第150頁(yè)第151頁(yè)第152頁(yè)第153頁(yè)第154頁(yè)第155頁(yè)第156頁(yè)第157頁(yè)第158頁(yè)第159頁(yè)第160頁(yè)
April 30, 2004 S29GLxxxM_00A5
S29GLxxxM MirrorBit
TM
Flash Family
143
P r e l i m i n a r y
Erase And Programming Performance
Notes:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
Typical program and erase times assume the following conditions: 25
°
C, V
CC
= 3.0V, 10,000 cycles; checkerboard data pattern.
Under worst case conditions of 90
°
C; Worst case V
CC
, 100,000 cycles.
Effective programming time (typ) is 15
μ
s (per word), 7.5
μ
s (per byte).
Effective accelerated programming time (typ) is 12.5
μ
s (per word), 6.3
μ
s (per byte).
Effective write buffer specification is calculated on a per-word/per-byte basis for a 16-word/32-byte write buffer operation.
In the pre-programming step of the Embedded Erase algorithm, all bits are programmed to 00h before erasure.
System-level overhead is the time required to execute the command sequence(s) for the program command. See Tables 31 and 32 for
further information on command definitions.
Parameter
Typ (Note 1)
Max
(Note 2)
Unit
Comments
Sector Erase Time
0.5
3.5
sec
Excludes
00h
programm
ing prior to
erasure
Note (6)
Chip Erase Time
S29GL032M
32
64
sec
S29GL064M
64
128
S29GL128M
128
256
S29GL256M
256
512
Total Write Buffer Program Time Notes (3), (5)
240
μs
Excludes
system
level
overhead
Note (7)
Total Accelerated Effective Write Buffer Program Time Notes (4),
(5)
200
μs
Chip Program Time
S29GL032M
31.5
sec
S29GL064M
63
S29GL128M
126
S29GL256M
252
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL128M90TFIR82 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL256M10FAIR10 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL064M90BCIR03 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL064M90BCIR10 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL064M90BCIR12 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL128N10FFI010 | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3V/3.3V 128Mbit 16M/8M x 8bit/16bit 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray 制造商:Spansion 功能描述:MIRRORBIT FLASH 128MB SMD 29LV128 |
| S29GL128N10FFI020 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash - NOR IC |
| S29GL128N10TF101 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL128N10TFI010 | 功能描述:IC FLASH 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-N 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類(lèi)型:非易失 存儲(chǔ)器格式:閃存 技術(shù):FLASH - NOR 存儲(chǔ)容量:128Mb （16M x 8，8M x 16） 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè):100ns 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:100ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:56-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:91 |
| S29GL128N10TFI020 | 制造商:Spansion 功能描述:S29GL128N10TFI020 制造商:Spansion 功能描述:Flash - NOR IC |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。