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參數(shù)資料
| 型號： | S29GL128M90TDIR83 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| 中文描述： | 3.0伏只頁面模式閃存具有0.23微米工藝技術(shù)的MirrorBit |
| 文件頁數(shù)： | 116/160頁 |
| 文件大?。?/td> | 2142K |
| 代理商： | S29GL128M90TDIR83 |
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116
S29GLxxxM MirrorBit
TM
Flash Family
S29GLxxxM_00A5 April 30, 2004
P r e l i m i n a r y
Figure 7. Data# Polling Algorithm
RY/BY#: Ready/Busy#
The RY/BY# is a dedicated, open-drain output pin which indicates whether an
Embedded Algorithm is in progress or complete. The RY/BY# status is valid after
the rising edge of the final WE# pulse in the command sequence. Since RY/BY#
is an open-drain output, several RY/BY# pins can be tied together in parallel with
a pull-up resistor to V
CC
.
If the output is low (Busy), the device is actively erasing or programming. (This
includes programming in the Erase Suspend mode.) If the output is high (Ready),
the device is in the read mode, the standby mode, or in the erase-suspend-read
mode. Table
33
shows the outputs for RY/BY#.
DQ7 = Data
Yes
No
No
DQ5 = 1
No
Yes
Yes
FAIL
PASS
Read DQ15–DQ0
Addr = VA
Read DQ15–DQ0
Addr = VA
DQ7 = Data
START
Notes:
1. VA = Valid address for programming. During a sector
erase operation, a valid address is any sector address
within the sector being erased. During chip erase, a
valid address is any non-protected sector address.
2. DQ7 should be rechecked even if DQ5 = “1” because
DQ7 may change simultaneously with DQ5.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL128M90TFIR10 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL128M90TFIR12 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL128M90TFIR13 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL128M90TFIR20 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL128M90TFIR22 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL128M90TFIR10 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 128M-Bit 16M x 8/8M x 16 90ns 56-Pin TSOP Tray |
| S29GL128N10FFI010 | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3V/3.3V 128Mbit 16M/8M x 8bit/16bit 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray 制造商:Spansion 功能描述:MIRRORBIT FLASH 128MB SMD 29LV128 |
| S29GL128N10FFI020 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash - NOR IC |
| S29GL128N10TF101 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL128N10TFI010 | 功能描述:IC FLASH 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-N 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:非易失 存儲器格式:閃存 技術(shù):FLASH - NOR 存儲容量:128Mb （16M x 8，8M x 16） 寫周期時間 - 字，頁:100ns 訪問時間:100ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:56-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:91 |
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