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參數資料
| 型號： | S29GL128M90TDIR82 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| 中文描述： | 3.0伏只頁面模式閃存具有0.23微米工藝技術的MirrorBit |
| 文件頁數： | 149/160頁 |
| 文件大?。?/td> | 2142K |
| 代理商： | S29GL128M90TDIR82 |
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April 30, 2004 S29GLxxxM_00A5
S29GLxxxM MirrorBit
TM
Flash Family
149
P r e l i m i n a r y
Physical Dimensions
TS056/TSR056—56-Pin Standard/Reverse Thin Small Outline Package (TSOP)
NOTES:
1
CONTROLLING DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS (mm).
(DIMENSIONING AND TOLERANCING CONFORMS TO ANSI Y14.5M-1982.)
2
PIN 1 IDENTIFIER FOR STANDARD PIN OUT (DIE UP).
3
PIN 1 IDENTIFIER FOR REVERSE PIN OUT (DIE DOWN), INK OR LASER MARK.
4
TO BE DETERMINED AT THE SEATING PLANE -C- . THE SEATING PLANE IS
DEFINED AS THE PLANE OF CONTACT THAT IS MADE WHEN THE PACKAGE
LEADS ARE ALLOWED TO REST FREELY ON A FLAT HORIZONTAL SURFACE.
5
DIMENSIONS D1 AND E DO NOT INCLUDE MOLD PROTRUSION. ALLOWABLE
MOLD PROTUSION IS 0.15 mm PER SIDE.
6
DIMENSION b DOES NOT INCLUDE DAMBAR PROTUSION. ALLOWABLE
DAMBAR PROTUSION SHALL BE 0.08 mm TOTAL IN EXCESS OF b
DIMENSION AT MAX MATERIAL CONDITION. MINIMUM SPACE BETWEEN
PROTRUSION AND AN ADJACENT LEAD TO BE 0.07 mm.
7
THESE DIMESIONS APPLY TO THE FLAT SECTION OF THE LEAD BETWEEN
0.10 mm AND 0.25 mm FROM THE LEAD TIP.
8.
LEAD COPLANARITY SHALL BE WITHIN 0.10 mm AS MEASURED FROM THE
SEATING PLANE.
9
DIMENSION "e" IS MEASURED AT THE CENTERLINE OF THE LEADS.
3160\38.10A
MO-142 (B) EC
NOM.
---
---
1.00
0.95
0.17
0.17
0.10
0.10
TS/TSR 56
1.20
0.15
1.05
0.23
0.27
0.16
0.21
MAX.
---
0.05
MIN.
0.20
0.22
---
---
20.00
18.40
20.20
18.50
19.90
18.30
14.00
14.10
13.90
0.60
3
---
56
0.70
5
0.20
0.50
0
0.08
0.50 BASIC
E
e
L
R
N
b1
b
JEDEC
SYMBOL
A
A1
PACKAGE
A2
D1
D
c1
c
O
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL128M90TDIR83 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL128M90TFIR10 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL128M90TFIR12 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL128M90TFIR13 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL128M90TFIR20 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| S29GL128M90TFIR10 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 128M-Bit 16M x 8/8M x 16 90ns 56-Pin TSOP Tray |
| S29GL128N10FFI010 | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3V/3.3V 128Mbit 16M/8M x 8bit/16bit 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray 制造商:Spansion 功能描述:MIRRORBIT FLASH 128MB SMD 29LV128 |
| S29GL128N10FFI020 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash - NOR IC |
| S29GL128N10TF101 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL128N10TFI010 | 功能描述:IC FLASH 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-N 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:非易失 存儲器格式:閃存 技術:FLASH - NOR 存儲容量:128Mb （16M x 8，8M x 16） 寫周期時間 - 字，頁:100ns 訪問時間:100ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商器件封裝:56-TSOP 標準包裝:91 |
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