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參數(shù)資料
| 型號： | S29GL128M90TDIR23 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| 中文描述： | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO56 |
| 封裝： | LEAD FREE, TSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 47/160頁 |
| 文件大?。?/td> | 2142K |
| 代理商： | S29GL128M90TDIR23 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁當(dāng)前第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁
April 30, 2004 S29GLxxxM_00A5
S29GLxxxM MirrorBit
TM
Flash Family
47
P r e l i m i n a r y
SA104
1
1
0
1
0
0
0
64/32
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1
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1
1
64/32
7F0000–7FFFFF
3F8000–3FFFFF
Table 8. S29GL064M (Model R3) Top Boot Sector Architecture
Sector
Sector Address
A21–A12
Sector Size
(Kbytes/Kwords)
(x8)
Address Range
(x16)
Address Range
SA0
0000000xxx
64/32
000000h–00FFFFh
00000h–07FFFh
SA1
0000001xxx
64/32
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SA2
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10000h–17FFFh
SA3
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64/32
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18000h–1FFFFh
SA4
0000100xxx
64/32
040000h–04FFFFh
20000h–27FFFh
SA5
0000101xxx
64/32
050000h–05FFFFh
28000h–2FFFFh
SA6
0000110xxx
64/32
060000h–06FFFFh
30000h–37FFFh
Table 7. S29GL064M (Model R1, R2) Sector Address Table (Continued)
Sector
A21–A15
Sector Size
(Kbytes/
Kwords)
8-bit
Address Range
(in
hexadecimal)
16-bit
Address Range
(in
hexadecimal)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL128M90TDIR80 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL128M90TDIR82 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL128M90TDIR83 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL128M90TFIR10 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL128M90TFIR12 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL128M90TFIR10 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 128M-Bit 16M x 8/8M x 16 90ns 56-Pin TSOP Tray |
| S29GL128N10FFI010 | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3V/3.3V 128Mbit 16M/8M x 8bit/16bit 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray 制造商:Spansion 功能描述:MIRRORBIT FLASH 128MB SMD 29LV128 |
| S29GL128N10FFI020 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash - NOR IC |
| S29GL128N10TF101 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL128N10TFI010 | 功能描述:IC FLASH 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-N 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:非易失 存儲器格式:閃存 技術(shù):FLASH - NOR 存儲容量:128Mb （16M x 8，8M x 16） 寫周期時間 - 字，頁:100ns 訪問時間:100ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:56-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:91 |
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