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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29GL128M90TDIR20 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| 中文描述： | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO56 |
| 封裝： | LEAD FREE, TSOP-56 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 81/160頁(yè) |
| 文件大小： | 2142K |
| 代理商： | S29GL128M90TDIR20 |
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April 30, 2004 S29GLxxxM_00A5
S29GLxxxM MirrorBit
TM
Flash Family
81
P r e l i m i n a r y
SA52-SA55
1101XXXXXh
256 (4x64) Kbytes
SA56-SA59
1110XXXXXh
256 (4x64) Kbytes
SA60-SA62
111100XXXh
111101XXXh
111110XXXh
192 (3x64) Kbytes
SA63
111111000h
8 Kbytes
SA64
111111001h
8 Kbytes
SA65
111111010h
8 Kbytes
SA66
111111011h
8 Kbytes
SA67
111111100h
8 Kbytes
SA68
111111101h
8 Kbytes
SA69
111111110h
8 Kbytes
SA70
111111111h
8 Kbytes
Table 17. S29GL032M (Model R2) Bottom Boot Sector Protection
Sector
A20–A12
Sector/
Sector Block Size
SA0
000000000h
8 Kbytes
SA1
000000001h
8 Kbytes
SA2
000000010h
8 Kbytes
SA3
000000011h
8 Kbytes
SA4
000000100h
8 Kbytes
SA5
000000101h
8 Kbytes
SA6
000000110h
8 Kbytes
SA7
000000111h
8 Kbytes
SA8–SA10
000001XXXh,
000010XXXh,
000011XXXh,
192 (3x64) Kbytes
SA11–SA14
0001XXXXXh
256 (4x64) Kbytes
SA15–SA18
0010XXXXXh
256 (4x64) Kbytes
SA19–SA22
0011XXXXXh
256 (4x64) Kbytes
SA23–SA26
0100XXXXXh
256 (4x64) Kbytes
SA27-SA30
0101XXXXXh
256 (4x64) Kbytes
SA31-SA34
0110XXXXXh
256 (4x64) Kbytes
SA35-SA38
0111XXXXXh
256 (4x64) Kbytes
SA39-SA42
1000XXXXXh
256 (4x64) Kbytes
SA43-SA46
1001XXXXXh
256 (4x64) Kbytes
SA47-SA50
1010XXXXXh
256 (4x64) Kbytes
SA51-SA54
1011XXXXXh
256 (4x64) Kbytes
SA55–SA58
1100XXXXXh
256 (4x64) Kbytes
SA59–SA62
1101XXXXXh
256 (4x64) Kbytes
SA63–SA66
1110XXXXXh
256 (4x64) Kbytes
SA67–SA70
1111XXXXXh
256 (4x64) Kbytes
Table 16. S29GL032M (Model R1) Top Boot Sector Protection (Continued)
Sector
A20–A12
Sector/
Sector Block Size
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL128M90TDIR22 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL128M90TDIR23 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL128M90TDIR80 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL128M90TDIR82 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL128M90TDIR83 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL128M90TFIR10 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 128M-Bit 16M x 8/8M x 16 90ns 56-Pin TSOP Tray |
| S29GL128N10FFI010 | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3V/3.3V 128Mbit 16M/8M x 8bit/16bit 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray 制造商:Spansion 功能描述:MIRRORBIT FLASH 128MB SMD 29LV128 |
| S29GL128N10FFI020 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash - NOR IC |
| S29GL128N10TF101 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL128N10TFI010 | 功能描述:IC FLASH 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-N 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類(lèi)型:非易失 存儲(chǔ)器格式:閃存 技術(shù):FLASH - NOR 存儲(chǔ)容量:128Mb （16M x 8，8M x 16） 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè):100ns 訪問(wèn)時(shí)間:100ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:56-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:91 |
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