- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385801 > S29GL128M90TDIR10 (Spansion Inc.) 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | S29GL128M90TDIR10 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| 中文描述： | 3.0伏只頁面模式閃存具有0.23微米工藝技術(shù)的MirrorBit |
| 文件頁數(shù)： | 3/160頁 |
| 文件大小： | 2142K |
| 代理商： | S29GL128M90TDIR10 |
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April 30, 2004 S29GLxxxM_00A5
S29GLxxxM MirrorBit
TM
Flash Family
3
P r e l i m i n a r y
enabling the host system to read boot-up firmware from the Flash memory
device.
The device reduces power consumption in the
standby mode
when it detects
specific voltage levels on CE# and RESET#, or when addresses have been stable
for a specified period of time.
The
Write Protect (WP#)
feature protects the first or last sector by asserting
a logic low on the WP#/ACC pin or WP# pin, depending on model number. The
protected sector will still be protected even during accelerated programming.
The
SecSi
(Secured Silicon) Sector
provides a 128-word/256-byte area for
code or data that can be permanently protected. Once this sector is protected,
no further changes within the sector can occur.
Spansion MirrorBit flash technology combines years of Flash memory manufac-
turing experience to produce the highest levels of quality, reliability and cost
effectiveness. The device electrically erases all bits within a sector simultaneously
via hot-hole assisted erase. The data is programmed using hot electron injection.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL128M90TDIR12 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL128M90TDIR13 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL128M90TDIR20 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL128M90TDIR22 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL128M90TDIR23 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL128M90TFIR10 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 128M-Bit 16M x 8/8M x 16 90ns 56-Pin TSOP Tray |
| S29GL128N10FFI010 | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3V/3.3V 128Mbit 16M/8M x 8bit/16bit 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray 制造商:Spansion 功能描述:MIRRORBIT FLASH 128MB SMD 29LV128 |
| S29GL128N10FFI020 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash - NOR IC |
| S29GL128N10TF101 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL128N10TFI010 | 功能描述:IC FLASH 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-N 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類型:非易失 存儲(chǔ)器格式:閃存 技術(shù):FLASH - NOR 存儲(chǔ)容量:128Mb （16M x 8，8M x 16） 寫周期時(shí)間 - 字，頁:100ns 訪問時(shí)間:100ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:56-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:91 |
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