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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29GL128M90TAIR80 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| 中文描述： | 3.0伏只頁面模式閃存具有0.23微米工藝技術(shù)的MirrorBit |
| 文件頁數(shù)： | 151/160頁 |
| 文件大?。?/td> | 2142K |
| 代理商： | S29GL128M90TAIR80 |
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April 30, 2004 S29GLxxxM_00A5
S29GLxxxM MirrorBit
TM
Flash Family
151
P r e l i m i n a r y
Physical Dimensions
LAC064—64-Pin 18 x 12 mm package
3243 \ 16-038.12d
PACKAGE
LAC 064
JEDEC
N/A
18.00 mm x 12.00 mm
PACKAGE
SYMBOL
MIN
NOM
MAX
NOTE
A
---
---
1.40
PROFILE HEIGHT
A1
0.40
---
---
STANDOFF
A2
0.60
---
---
BODY THICKNESS
D
18.00 BSC.
BODY SIZE
E
12.00 BSC.
BODY SIZE
D1
7.00 BSC.
MATRIX FOOTPRINT
E1
7.00 BSC.
MATRIX FOOTPRINT
MD
8
MATRIX SIZE D DIRECTION
ME
8
MATRIX SIZE E DIRECTION
N
φ
b
eD
64
BALL COUNT
0.50
0.60
0.70
BALL DIAMETER
1.00 BSC.
BALL PITCH - D DIRECTION
eE
1.00 BSC.
BALL PITCH - E DIRECTION
SD / SE
0.50 BSC.
SOLDER BALL PLACEMENT
NONE
DEPOPULATED SOLDER BALLS
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME Y14.5M-1994.
2. ALL DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
3. BALL POSITION DESIGNATION PER JESD 95-1, SPP-010 (EXCEPT
AS NOTED).
4. e REPRESENTS THE SOLDER BALL GRID PITCH.
5. SYMBOL "MD" IS THE BALL ROW MATRIX SIZE IN THE
"D" DIRECTION.
SYMBOL "ME" IS THE BALL COLUMN MATRIX SIZE IN THE
"E" DIRECTION.
N IS THE TOTAL NUMBER OF SOLDER BALLS.
6
DIMENSION "b" IS MEASURED AT THE MAXIMUM BALL
DIAMETER IN A PLANE PARALLEL TO DATUM C.
7
SD AND SE ARE MEASURED WITH RESPECT TO DATUMS
A AND B AND DEFINE THE POSITION OF THE CENTER
SOLDER BALL IN THE OUTER ROW.
WHEN THERE IS AN ODD NUMBER OF SOLDER BALLS IN
THE OUTER ROW PARALLEL TO THE D OR E DIMENSION,
RESPECTIVELY, SD OR SE = 0.000.
WHEN THERE IS AN EVEN NUMBER OF SOLDER BALLS IN
THE OUTER ROW, SD OR SE = e/2
8. NOT USED.
9. "+" INDICATES THE THEORETICAL CENTER OF DEPOPULATED
BALLS.
BOTTOM VIEW
SIDE VIEW
TOP VIEW
2X
2X
C
0.20
C
0.20
6
7
7
A
M
M
C
C
φ
0.10
φ
0.25
B
C
0.25
0.15 C
A
B
C
SEATING PLANE
eD
(INK OR LASER)
CORNER
A1
A2
D
E
φ
05
A1 CORNER ID.
1.00±0.5
1
A
A1
CA1
NX
φ
b
SD
SE
eE
E1
D1
1
2
3
4
5
6
7
8
A
C
B
D
F
E
G
H
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL128M90TAIR82 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL128M90TAIR83 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL128M90TDIR10 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL128M90TDIR12 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL128M90TDIR13 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL128M90TFIR10 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 128M-Bit 16M x 8/8M x 16 90ns 56-Pin TSOP Tray |
| S29GL128N10FFI010 | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3V/3.3V 128Mbit 16M/8M x 8bit/16bit 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray 制造商:Spansion 功能描述:MIRRORBIT FLASH 128MB SMD 29LV128 |
| S29GL128N10FFI020 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash - NOR IC |
| S29GL128N10TF101 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL128N10TFI010 | 功能描述:IC FLASH 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-N 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類型:非易失 存儲(chǔ)器格式:閃存 技術(shù):FLASH - NOR 存儲(chǔ)容量:128Mb （16M x 8，8M x 16） 寫周期時(shí)間 - 字，頁:100ns 訪問時(shí)間:100ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:56-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:91 |
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