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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29GL064N11TFIV20 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 110 ns, PDSO56 |
| 封裝： | LEAD FREE, MO-142EC, TSOP-56 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 72/79頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 2191K |
| 代理商： | S29GL064N11TFIV20 |
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72
S29GL-N MirrorBit
Flash Family
S29GL-N_01_09 November 16, 2007
D a t a
S h e e t
Figure 15.11
Alternate CE# Controlled Write (Erase/Program) Operation Timings
Notes
1. Figure indicates last two bus cycles of a program or erase operation.
2. PA = program address, SA = sector address, PD = program data.
3. DQ7# is the complement of the data written to the device. D
OUT
is the data written to the device.
4. Illustration shows device in word mode.
t
GHEL
t
WS
OE#
CE#
WE#
RESET#
t
DS
Data
t
AH
Addresses
t
DH
t
CP
DQ7#
D
OUT
t
WC
t
AS
t
CPH
PA
Data# Polling
PBD for program
55 for erase
t
RH
t
WHWH1 or 2
RY/BY#
t
WH
29 for program buffer to flash
30 for sector erase
10 for chip erase
PBA for program
2AA for erase
SA for program buffer to flash
SA for sector erase
555 for chip erase
t
BUSY
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PDF描述 |
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