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參數(shù)資料
| 型號： | S29GL064N11TAI062 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
| 中文描述： | 64兆，32兆位3.0伏只頁面模式閃存具有110納米MirrorBit工藝技術 |
| 文件頁數(shù)： | 1/79頁 |
| 文件大?。?/td> | 2191K |
| 代理商： | S29GL064N11TAI062 |
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Publication Number
S29GL-N_01
Revision
09
Issue Date
November 16, 2007
S29GL-N MirrorBit
Flash Family
S29GL064N, S29GL032N
64 Megabit, 32 Megabit
3.0-Volt only Page Mode Flash Memory
Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology
S29GL-N MirrorBit
Flash Family Cover Sheet
Data Sheet
Notice to Readers:
This document states the current technical specifications regarding the Spansion
product(s) described herein. Each product described herein may be designated as Advance Information,
Preliminary, or Full Production. See
Notice On Data Sheet Designations
for definitions.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL064N11TAI070 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL064N11TAI072 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL064N11TAIV10 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL064N11TAIV12 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL064N11TAIV20 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL064N11TAIV20 | 制造商:Spansion 功能描述:IC 64M PAGE-MODE FLASH MEMORY - Trays 制造商:Spansion 功能描述:SPZS29GL064N11TAIV20 PG-MODE FLASH MEM |
| S29GL064N11TFIV10 | 功能描述:閃存 64Mb 3V 110ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| S29GL064N11TFIV13 | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH MEMORY - Trays |
| S29GL064N11TFIV20 | 功能描述:閃存 64MB 2.7-3.6V 110ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| S29GL064N11TFIV73 | 制造商:Spansion 功能描述:64M (4MX16) 3V REG, MIRRORBIT, FBGA63, IND - Tape and Reel |
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