參數(shù)資料
型號(hào): S29GL064N11FFI040
廠商: Spansion Inc.
英文描述: 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology
中文描述: 64兆,32兆位3.0伏只頁(yè)面模式閃存具有110納米MirrorBit工藝技術(shù)
文件頁(yè)數(shù): 6/79頁(yè)
文件大?。?/td> 2191K
代理商: S29GL064N11FFI040
6
S29GL-N MirrorBit
Flash Family
S29GL-N_01_09 November 16, 2007
D a t a
S h e e t
13.
DC Characteristics
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
14.
Test Conditions
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
14.1
Key to Switching Waveforms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
15.
AC Characteristics
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
16.
Erase And Programming Performance
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
17.
Physical Dimensions
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
17.1
TS048—48-Pin Standard Thin Small Outline Package (TSOP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
17.2
TS056—56-Pin Standard Thin Small Outline Package (TSOP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
17.3
VBK048—Ball Fine-pitch Ball Grid Array (BGA) 8.15x 6.15 mm Package . . . . . . . . . . . . . . 76
17.4
LAA064—64-Ball Fortified Ball Grid Array (BGA) 13 x 11 mm Package . . . . . . . . . . . . . . . . 77
18.
Revision History
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S29GL064N11FFI042 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology
S29GL064N11FFI060 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology
S29GL064N11FFI062 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology
S29GL064N11FFI070 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology
S29GL064N11FFI072 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
S29GL064N11FFIV10 功能描述:閃存 64Mb 3V 110ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
S29GL064N11FFIV20 制造商:Spansion 功能描述:
S29GL064N11TAIV20 制造商:Spansion 功能描述:IC 64M PAGE-MODE FLASH MEMORY - Trays 制造商:Spansion 功能描述:SPZS29GL064N11TAIV20 PG-MODE FLASH MEM
S29GL064N11TFIV10 功能描述:閃存 64Mb 3V 110ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
S29GL064N11TFIV13 制造商:Spansion 功能描述:FLASH MEMORY - Trays