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參數(shù)資料
| 型號： | S29GL064M90TDIR23 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO56 |
| 封裝： | LEAD FREE, TSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 129/160頁 |
| 文件大小： | 2142K |
| 代理商： | S29GL064M90TDIR23 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁當(dāng)前第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁
April 30, 2004 S29GLxxxM_00A5
S29GLxxxM MirrorBit
TM
Flash Family
129
P r e l i m i n a r y
AC Characteristics
Erase and Program Operations-S29GL128M only
Notes:
1.
Not 100% tested.
2.
See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
3.
For 1–16 words/1–32 bytes programmed.
4.
If a program suspend command is issued within t
, the device requires t
before reading status data, once programming has resumed
(that is, the program resume command has been written). If the suspend command was issued after t
POLL
, status data is available imme-
diately after programming has resumed. See Figure 17.
Parameter
Speed Options
Unit
JEDEC
Std.
Description
90
10
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
90
100
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
ASO
Address Setup Time to OE# low during toggle bit polling
Min
15
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
ns
t
AHT
Address Hold Time From CE# or OE# high during toggle bit
polling
Min
0
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min
45
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
CEPH
CE# High during toggle bit polling
Min
20
ns
t
OEPH
OE# High during toggle bit polling
Min
20
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recovery Time Before Write (OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE# Setup Time
Min
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE# Hold Time
Min
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min
35
ns
t
WHDL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Write Buffer Program Operation (Notes 2, 3)
Typ
240
μs
Single Word Program Operation (Note 2)
Typ
60
Accelerated Single Word Program Operation (Note 2)
Typ
54
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.5
sec
t
VHH
V
HH
Rise and Fall Time (Note 1)
Min
250
ns
t
VCS
V
CC
Setup Time (Note 1)
Min
50
μs
t
BUSY
WE# High to RY/BY# Low
Min
90
100
ns
t
POLL
Program Valid before Status Polling
Max
4
μs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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