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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29GL064M90TCIR22 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封裝： | LEAD FREE, TSOP-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 122/160頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 2142K |
| 代理商： | S29GL064M90TCIR22 |
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122
S29GLxxxM MirrorBit
TM
Flash Family
S29GLxxxM_00A5 April 30, 2004
P r e l i m i n a r y
DC Characteristics
CMOS Compatible
Notes:
1. On the WP#/ACC pin only, the maximum input load current when WP# = V
IL
is ± 2.0 μA.
2. The I
CC
current listed is typically less than 2 mA/MHz, with OE# at V
IH
.
3. Maximum I
CC
specifications are tested with V
CC
= V
CC
max.
4. S29GL032M, S29GL064M
5. S29GL128M, S29GL256M
6. I
CC
active while Embedded Erase or Embedded Program is in progress.
7. Automatic sleep mode enables the low power mode when addresses remain stable for t
ACC
+ 30 ns.
8. V
CC
voltage requirements.
9. Not 100% tested.
Parameter
Symbol
Parameter Description
(Notes)
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
I
LI
Input Load Current (1)
V
IN
= V
SS
to V
CC
,
V
CC
= V
CC
max
±
1.0
μA
I
LIT
A9, ACC Input Load Current
V
CC
= V
CC max
; A9 = 12.5 V
35
μA
I
LR
Reset Leakage Current
V
CC
= V
CC max
; RESET# = 12.5 V
35
μA
I
LO
Output Leakage Current
V
OUT
= V
SS
to V
CC
,
V
CC
= V
CC max
±
1.0
μA
I
CC1
V
CC
Initial Read Current (2), (3)
CE# = V
IL,
OE# = V
IH
,
1 MHz
5
20
mA
5 MHz (4)
18
25
5 MHz (5)
25
35
10 MHz (4)
35
50
10 MHz (5)
40
60
I
CC2
V
CC
Intra-Page Read Current (2), (3)
CE# = V
IL,
OE# = V
IH
10 MHz
5
20
mA
40 MHz
10
40
I
CC3
V
CC
Active Write Current (3), (4)
CE# = V
IL,
OE# = V
IH
50
60
mA
I
CC4
V
CC
Standby Current (3)
CE#, RESET# = V
CC
±
0.3 V,
WP# = V
IH
1
5
μA
I
CC5
V
CC
Reset Current (3)
RESET# = V
SS
±
0.3 V, WP# = V
IH
1
5
μA
I
CC6
Automatic Sleep Mode (3), (7)
V
= V
CC
±
0.3 V;
-0.1< V
IL
≤
0.3 V, WP# = V
IH
1
5
μA
V
IL
Input Low Voltage 1(8)
–0.5
0.8
V
V
IH
Input High Voltage 1 (8)
0.7 V
CC
V
CC
+ 0.5
V
V
HH
Voltage for ACC Program Acceleration
V
CC
= 2.7 –3.6 V
11.5
12.0
12.5
V
V
ID
Voltage for Autoselect and Temporary
Sector Unprotect
V
CC
= 2.7 –3.6 V
11.5
12.0
12.5
V
V
OL
Output Low Voltage (8)
I
OL
= 4.0 mA, V
CC
= V
CC min
0.45
V
V
OH1
Output High Voltage
I
OH
= –2.0 mA, V
CC
= V
CC min
0.85 V
CC
V
V
OH2
I
OH
= –100 μA, V
CC
= V
CC min
V
CC
–0.4
V
V
LKO
Low V
CC
Lock-Out Voltage (9)
2.3
2.5
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL064M90TCIR23 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL064M90TDIR00 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL064M90TDIR02 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL064M90TDIR03 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| S29GL064M90TFIR20 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 64M-Bit 8M x 8/4M x 16 90ns 56-Pin TSOP Tray |
| S29GL064M90TFIR30 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 64M-Bit 8M x 8/4M x 16 90ns 48-Pin TSOP Tray |
| S29GL064M90TFIR4 | 制造商:Spansion 功能描述:IC,EEPROM,NOR FLASH,4MX16/8MX8,CMOS,TSSOP,48PIN,PLASTIC |
| S29GL064M90TFIR40 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 64M-Bit 8M x 8/4M x 16 90ns 48-Pin TSOP Tray 制造商:Spansion 功能描述:IC,EEPROM,NOR FLASH,4MX16/8MX8,CMOS,TSSOP,48PIN,PLASTIC |
| S29GL064M90TFIR60 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3.3V 64M-Bit 4M x 16 90ns 48-Pin TSOP Tray |
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