參數(shù)資料
型號： S29GL064M90FFIR12
廠商： SPANSION LLC
元件分類： DRAM
英文描述： 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
中文描述： 4M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA64
封裝： 13 X 11 MM, LEAD FREE, FORTIFIED, BGA-64
文件頁數(shù)： 7/160頁
文件大?。?/td> 2142K
代理商： S29GL064M90FFIR12
April 30, 2004 S29GLxxxM_00A5
S29GLxxxM MirrorBit
TM
Flash Family
7
P r e l i m i n a r y
Block Diagram
Input/Output
Buffers
X-Decoder
Y-Decoder
Chip Enable
Output Enable
Logic
Erase Voltage
Generator
PGM Voltage
Generator
Timer
V
CC
Detector
State
Control
Command
Register
V
CC
V
SS
WE#
WP#/ACC
BYTE#
CE#
OE#
STB
STB
DQ15
–
DQ0 (A-1)
Sector Switches
RY/BY#
RESET#
Data
Latch
Y-Gating
Cell Matrix
A
A
Max
**–A0
** A
Max
GL256M = A23, A
Max
GL128M = A22, A
Max
GL064M = A21 (A
Max
GL064M-00 = A22),
A
Max
GL032M = A20 (A
Max
GL032M-00 = A21)
相關PDF資料
PDF描述
S29GL064M90FFIR13 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90FFIR20 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90FFIR22 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90FFIR23 MOSFET, Switching; VDSS (V): 30; ID (A): 30; Pch : 50; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.008; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: 0.013 (5V); RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 1400; toff (µs) typ: 0.055; Package: LDPAK (L)
S29GL064M90FFIR30 MOSFET, Switching; VDSS (V): 30; ID (A): 30; Pch : 50; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.008; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: 0.013 (5V); RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 1400; toff (µs) typ: 0.055; Package: LDPAK (S)- (2)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
S29GL064M90FFIR2 制造商:Spansion 功能描述:
S29GL064M90TAIR00 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 64M-Bit 8M x 8 90ns 48-Pin TSOP Tray
S29GL064M90TAIR2 制造商:Spansion 功能描述:
S29GL064M90TAIR20 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 64M-Bit 8M x 8/4M x 16 90ns 56-Pin TSOP Tray
S29GL064M90TAIR3 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash, 4M x 16, 48 Pin, Plastic, TSSOP
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