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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29GL064M90FDIR33 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | MOSFET, Switching; VDSS (V): 30; ID (A): 60; Pch : 90; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.0046; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: [0.008]; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 2500; toff (µs) typ: 0.07; Package: TO-220AB |
| 中文描述： | 3.0伏只頁面模式閃存具有0.23微米工藝技術(shù)的MirrorBit |
| 文件頁數(shù)： | 107/160頁 |
| 文件大?。?/td> | 2142K |
| 代理商： | S29GL064M90FDIR33 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁當(dāng)前第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁
April 30, 2004 S29GLxxxM_00A5
S29GLxxxM MirrorBit
TM
Flash Family
107
P r e l i m i n a r y
Figure 3. Write Buffer Programming Operation
Write “Write to Buffer”
command and
Sector Address
Write number of addresses
to program minus 1(WC)
and Sector Address
Write program buffer to
flash sector address
Write first address/data
Write to a different
sector address
FAIL or ABORT
PASS
Read DQ7 - DQ0 at
Last Loaded Address
Read DQ7 - DQ0 with
address = Last Loaded
Address
Write next address/data pair
WC = WC - 1
WC = 0
Part of “Write to Buffer”
Command Sequence
Yes
Yes
Yes
Yes
Yes
Yes
No
No
No
No
No
No
Abort Write to
Buffer Operation
DQ7 = Data
DQ7 = Data
DQ5 = 1
DQ1 = 1
Write to buffer ABORTED.
Must write “Write-to-buffer
Abort Reset” command
sequence to return
to read mode.
(Note 2)
(Note 3)
(Note 1)
Notes:
1.
When Sector Address is specified, any address in
the selected sector is acceptable. However, when
loading Write-Buffer address locations with data, all
addresses must fall within the selected Write-Buffer
Page.
DQ7 may change simultaneously with DQ5.
Therefore, DQ7 should be verified.
If this flowchart location was reached because
DQ5= “1”, then the device FAILED. If this flowchart
location was reached because DQ1= “1”, then the
Write to Buffer operation was ABORTED. In either
case, the proper reset command must be written
before the device can begin another operation. If
DQ1=1, write the Write-Buffer-Programming-
Abort-Reset command. if DQ5=1, write the Reset
command.
See
Table
31
and Table
32
for command
sequences required for write buffer programming.
2.
3.
4.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL064M90FFIR00 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
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| S29GL064M90TAIR3 | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash, 4M x 16, 48 Pin, Plastic, TSSOP |
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