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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29GL064M90FDIR32 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | MOSFET, Switching; VDSS (V): 20; ID (A): 90; Pch : 100; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.0024; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: [0.0035]; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 6800; toff (µs) typ: 0.11; Package: TO-220AB |
| 中文描述： | 3.0伏只頁面模式閃存具有0.23微米工藝技術(shù)的MirrorBit |
| 文件頁數(shù)： | 136/160頁 |
| 文件大?。?/td> | 2142K |
| 代理商： | S29GL064M90FDIR32 |
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136
S29GLxxxM MirrorBit
TM
Flash Family
S29GLxxxM_00A5 April 30, 2004
P r e l i m i n a r y
AC Characteristics
Temporary Sector Unprotect
Notes:
1. Not 100% tested.
Figure 22. Temporary Sector Group Unprotect Timing Diagram
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μs
RESET#
t
VIDR
V
ID
V
SS
, V
IL
,
or V
IH
V
ID
V
SS
, V
IL
,
or V
IH
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
t
RRB
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PDF描述 |
|---|---|
| S29GL064M90FDIR33 | MOSFET, Switching; VDSS (V): 30; ID (A): 60; Pch : 90; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.0046; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: [0.008]; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 2500; toff (µs) typ: 0.07; Package: TO-220AB |
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