參數(shù)資料
型號： S29GL064M90FDIR22
廠商： Spansion Inc.
英文描述： 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
中文描述： 3.0伏只頁面模式閃存具有0.23微米工藝技術(shù)的MirrorBit
文件頁數(shù)： 156/160頁
文件大小： 2142K
代理商： S29GL064M90FDIR22
156
S29GLxxxM MirrorBit
TM
Flash Family
S29GLxxxM_00A5 April 30, 2004
P r e l i m i n a r y
Physical Dimensions
FPT-56P-M01
18.40±0.10(.724±.004)
*
2
20.00±0.20(.787±.008)
14.00±0.10
(.551±.004)
M
0.10(.004)
0.10±0.05
(.004±.002)
(Stand off)
1
28
56
29
0.08(.003)
LEAD No.
Details of "A" part
0.60±0.15
(.024±.006)
0~8
.007±.001
0.17±0.03
0.22±0.05
(.009±.002)
(Mounting height)
INDEX
"A"
.043
+.004
–0.05
+0.10
1.10
0.50(.020)
0.25(.010)
*
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S29GL064M90FDIR23 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90FDIR30 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90FDIR32 MOSFET, Switching; VDSS (V): 20; ID (A): 90; Pch : 100; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.0024; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: [0.0035]; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 6800; toff (µs) typ: 0.11; Package: TO-220AB
S29GL064M90FDIR33 MOSFET, Switching; VDSS (V): 30; ID (A): 60; Pch : 90; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.0046; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: [0.008]; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 2500; toff (µs) typ: 0.07; Package: TO-220AB
S29GL064M90FFIR00 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
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參數(shù)描述
S29GL064M90FFIR2 制造商:Spansion 功能描述:
S29GL064M90TAIR00 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 64M-Bit 8M x 8 90ns 48-Pin TSOP Tray
S29GL064M90TAIR2 制造商:Spansion 功能描述:
S29GL064M90TAIR20 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 64M-Bit 8M x 8/4M x 16 90ns 56-Pin TSOP Tray
S29GL064M90TAIR3 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash, 4M x 16, 48 Pin, Plastic, TSSOP
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