參數(shù)資料
型號： S29GL064M90FAIR33
廠商： SPANSION LLC
元件分類： DRAM
英文描述： 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
中文描述： 4M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA64
封裝： 13 X 11 MM, FORTIFIED, BGA-64
文件頁數(shù)： 157/160頁
文件大?。?/td> 2142K
代理商： S29GL064M90FAIR33
April 30, 2004 S29GLxxxM_00A5
S29GLxxxM MirrorBit
TM
Flash Family
157
P r e l i m i n a r y
Physical Dimensions
BGA-48P-M20
8.00
±
0.20(.315
±
.008)
0.38
±
0.10(.015
±
.004)
(Stand off)
(Mounting height)
6.00
±
0.20
(.236
±
.008)
0.10(.004)
0.80(.031)TYP
5.60(.220)
4.00(.157)
48-0.45
±
0.05
(48-.018
±
.002)
M
0.08(.003)
H
G
F
E
D
C
B
A
6
5
4
3
2
1
.043
–.005
+.003
–0.13
+0.12
1.08
(INDEX AREA)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S29GL064M90FBIR00 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90FBIR02 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90FBIR03 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90FBIR20 MOSFET, Switching; VDSS (V): 290; ID (A): 18; Pch : 30; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.07; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: -; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 2200; toff (µs) typ: 0.11; Package: TO-220FN
S29GL064M90FBIR22 MOSFET, Switching; VDSS (V): 300; ID (A): 40; Pch : 150; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.058; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: -; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 5150; toff (µs) typ: 0.22; Package: TO-3P
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
S29GL064M90FAIR40 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 64M-Bit 8M x 8/4M x 16 90ns 64-Pin Fortified BGA Tray
S29GL064M90FFIR2 制造商:Spansion 功能描述:
S29GL064M90TAIR00 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 64M-Bit 8M x 8 90ns 48-Pin TSOP Tray
S29GL064M90TAIR2 制造商:Spansion 功能描述:
S29GL064M90TAIR20 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 64M-Bit 8M x 8/4M x 16 90ns 56-Pin TSOP Tray
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