參數(shù)資料
型號： S29GL064M90BCIR12
廠商： SPANSION LLC
元件分類： DRAM
英文描述： 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
中文描述： 4M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA80
封裝： LEAD FREE, BGA-80
文件頁數(shù)： 126/160頁
文件大?。?/td> 2142K
代理商： S29GL064M90BCIR12
126
S29GLxxxM MirrorBit
TM
Flash Family
S29GLxxxM_00A5 April 30, 2004
P r e l i m i n a r y
AC Characteristics
Figure 13. Read Operation Timings
* Figure shows device in word mode. Addresses are A1–A-1 for byte mode.
Figure 14. Page Read Timings
t
OH
t
CE
Outputs
WE#
Addresses
CE#
OE#
HIGH Z
Output Valid
HIGH Z
Addresses Stable
t
RC
t
ACC
t
OEH
t
RH
t
OE
t
RH
0 V
RY/BY#
RESET#
t
DF
A23
-
A2
CE#
OE#
A1
-
A0*
Data Bus
Same Page
Aa
Ab
Ac
Ad
Qa
Qb
Qc
Qd
t
ACC
t
PACC
t
PACC
t
PACC
相關PDF資料
PDF描述
S29GL064M90BCIR13 MOSFET, Switching; VDSS (V): 150; ID (A): 70; Pch : -; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.022; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: -; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 5100; toff (µs) typ: -; Package: TO-3P
S29GL064M90BCIR20 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90BCIR22 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90BCIR23 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90BCIR30 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
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參數(shù)描述
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