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參數(shù)資料
| 型號： | S29C51001T |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 1 MEGABIT (131,072 x 8 BIT) 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 1兆位（131072 × 8位）5伏的CMOS閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 7/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 7725K |
| 代理商： | S29C51001T |
7
Waveforms of CE Controlled-Program Cycle
Waveforms of Erase Cycle
(1)
NOTES:
1.
2.
3.
PA: The address of the memory location to be programmed.
PD: The data at the byte address to be programmed.
SA: The sector address for Sector Erase. Address = don’t care for Chip Erase.
t
WC
t
AS
t
WHWH1
t
WPH
t
OES
t
RC
t
AH
t
DS
t
DH
t
WP
t
DF
t
OH
t
OE
D
OUT
I/O7
PD
(2)
A0H
51001-09
ADDRESS
5555H
PA
PA
(1)
WE
OE
CE
I/O
t
WC
t
AS
t
WPH
ADDRESS
CE
OE
WE
I/O
5555H
5555H
5555H
2AAAH
2AAAH
SA
AAH
55H
80H
AAH
55H
30H
10H for
Chip Erase
51001-10
t
AH
t
WP
t
DS
t
DH
t
CS
SyncMOS Technologies Inc.
S
29C5100
1
T/
S
29C5100
1
B
1
MEGABIT (
131,072
x 8
BIT)
5 VOLT CMOS FLASH MEMORY
S
29C51001T/
S
29C51001B
V1.0
February
2003
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29C51001 | 1 MEGABIT (131,072 x 8 BIT) 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY |
| S29C51004T90J | 4 MEGABIT (524,288 x 8 BIT) 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY |
| S29C51004B | 4 MEGABIT (524,288 x 8 BIT) 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY |
| S29C51004B12J | 4 MEGABIT (524,288 x 8 BIT) 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY |
| S29C51004B12P | 4 MEGABIT (524,288 x 8 BIT) 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29C51004B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4 MEGABIT (524,288 x 8 BIT) 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY |
| S29C51004B12J | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4 MEGABIT (524,288 x 8 BIT) 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY |
| S29C51004B12P | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4 MEGABIT (524,288 x 8 BIT) 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY |
| S29C51004B12T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4 MEGABIT (524,288 x 8 BIT) 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY |
| S29C51004B70J | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4 MEGABIT (524,288 x 8 BIT) 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY |
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