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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29AL016M10TFIR10 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16 MEGABIT (2M X 8 BIT / I M X 16 BIT) 3.0 VOLT ONLY BOOT SECTOR FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PDSO48 |
| 封裝： | MO-142DD, LEAD FREE, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 41/59頁 |
| 文件大小： | 1917K |
| 代理商： | S29AL016M10TFIR10 |
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April 21, 2004 S29AL016M_00A4
S29AL016M
42
Test Conditions
Key to Switching Waveforms
Figure 12. Input Waveforms and Measurement Levels
Note:
Diodes are IN3064 or equivalent
Figure 11. Test Setup
Table 13. Test Specifications
2.7 k
C
L
6.2 k
3.3 V
Device
Under
Test
Test Condition
90, 100
Unit
Output Load
1 TTL gate
Output Load Capacitance, C
L
(including jig capacitance)
30
pF
Input Rise and Fall Times
5
ns
Input Pulse Levels
0.0 or V
CC
V
Input timing measurement
reference levels
0.5 V
CC
V
Output timing measurement
reference levels
0.5 V
CC
V
WAVEFORM
INPUTS
OUTPUTS
Steady
Changing from H to L
Changing from L to H
Don’t Care, Any Change Permitted
Changing, State Unknown
Does Not Apply
Center Line is High Impedance State (High Z)
V
CC
0.0 V
0.5 V
CC
Output
Measurement Level
Input
0.5 V
CC
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PDF描述 |
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