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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29AL004D90BAI010 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Megabit (512 Kx 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 256K X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA48 |
| 封裝： | 8.15 X 6.15 MM, FBGA-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 49/55頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1481K |
| 代理商： | S29AL004D90BAI010 |
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February 18, 2005 S29AL004D_00_A1
S29AL004D
47
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
AC Characteristics
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See
Table 15 on page 48
for more information.
Table 14. Alternate CE# Controlled Erase/Program Operation
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std
Description
70
90
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
70
90
ns
t
AVEL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
45
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
35
45
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE# Setup Time
Min
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE# Hold Time
Min
0
ns
t
ELEH
t
CP
CE# Pulse Width
Min
35
35
ns
t
EHEL
t
CPH
CE# Pulse Width High
Min
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation
(Note 2)
Byte
Typ
5
μs
Word
Typ
7
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.7
sec
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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