參數(shù)資料
型號(hào): S1C6S2N7F0A0100
元件分類(lèi): 微控制器/微處理器
英文描述: MICROCONTROLLER, PQFP60
封裝: PLASTIC, QFP-60
文件頁(yè)數(shù): 189/191頁(yè)
文件大?。?/td> 1135K
代理商: S1C6S2N7F0A0100
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S1C6S2N7 TECHNICAL HARDWARE
EPSON
I-85
CHAPTER 6: ELECTRICAL CHARACTERISTICS
6.5 Oscillation Characteristics
Oscillation characteristics will vary according to different conditions. Use the
following characteristics are as reference values.
S1C6S2N7
Unless otherwise specified
VDD=0 V, VSS=-3.0 V, Crystal: Q13MC146, CG=25 pF, CD=built-in, Ta=25°C
S1C6SL27/S1C6S2B7
Unless otherwise specified
VDD=0 V, VSS=-1.5 V, Crystal: Q13MC146, CG=25 pF, CD=built-in, Ta=25°C
Item
Oscillation start voltage
Oscillation stop voltage
Built-in capacity (drain)
Frequency voltage deviation
Frequency IC deviation
Frequency adjustment range
Higher harmonic oscillation
start voltage
Allowable leak resistance
Symbol
Vsta
(VSS)
Vstp
(VSS)
CD
f/V
f/IC
f/CG
Vhho
(VSS)
Rleak
Condition
tsta
≤5sec
tstp
≤10sec
Including the parasitic capacity inside the IC
VSS=-1.8 to -3.6V
CG=5–25pF
CG=5pF
Between OSC1 and VDD, VSS
Min.
-2.2
-10
40
200
Typ.
20
Unit
V
pF
ppm
V
M
Max.
5
10
-3.6
Item
Oscillation start voltage
Oscillation stop voltage
Built-in capacity (drain)
Frequency voltage deviation
Frequency IC deviation
Frequency adjustment range
Higher harmonic oscillation
start voltage
Allowable leak resistance
Symbol
Vsta
(VSS)
Vstp
(VSS)
CD
f/V
f/IC
f/CG
Vhho
(VSS)
Rleak
Condition
tsta
≤5sec
tstp
≤10sec
Including the parasitic capacity inside the IC
VSS=-1.1 to -3.6V (-0.9)1
CG=5–25pF
CG=5pF
Between OSC1 and VDD, VSS
Min.
-1.1
(-0.9)1
-10
40
200
Typ.
20
Unit
V
pF
ppm
V
M
Max.
5
10
-1.8
-3.6
S1C6S2L7
S1C6S2B7
1 Items enclosed in parentheses ( ) are those used when operating at heavy load
protection mode.
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PDF描述
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