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SI3865BDV-T1-E3

配單專家企業(yè)名單
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  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
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  • 操作
SI3865BDV-T1-E3 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET 8V 2.9A 0.06Ohm
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
SI3865BDV-T1-E3 技術(shù)參數(shù)
  • SI3861BDV-T1-GE3 功能描述:模擬開關(guān) IC 20V 2.3A 0.83W 145mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 開關(guān)數(shù)量:2 開關(guān)配置:SPDT 開啟電阻(最大值):0.1 Ohms 切換電壓(最大): 開啟時間(最大值): 關(guān)閉時間(最大值): 工作電源電壓:2.7 V to 4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DSBGA-16 SI3861BDV-T1-E3 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 20V 2.3A 0.83W RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻(最大值):85 mOhms 開啟時間(最大值):400 us 關(guān)閉時間(最大值):20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流(最大值): 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5 SI3831DV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 7.0V 2.4A 1.5W 170mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube SI3831DV-T1-E3 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 7V 2.4A 1.5W RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻(最大值):85 mOhms 開啟時間(最大值):400 us 關(guān)閉時間(最大值):20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流(最大值): 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5 SI3500-A-GMR 功能描述:直流/直流開關(guān)轉(zhuǎn)換器 -57V to +3.3V DC/DC converter RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大輸入電壓:4.5 V 開關(guān)頻率:1.5 MHz 輸出電壓:4.6 V 輸出電流:250 mA 輸出端數(shù)量:2 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT SI3900DV-T1-GE3 SI3905DV-T1-E3 SI3905DV-T1-GE3 SI3909DV-T1-E3 SI3909DV-T1-GE3 SI3911DV-T1-E3 SI3932DV-T1-GE3 SI3948DV-T1-E3 SI3948DV-T1-GE3 SI3951DV-T1-E3 SI3951DV-T1-GE3 SI3981DV-T1-E3 SI3981DV-T1-GE3 SI3983DV-T1-E3 SI3983DV-T1-GE3 SI3993CDV-T1-GE3 SI3993DV-T1-E3 SI3993DV-T1-GE3
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