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SI4010-B1-GT

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • SI4010-B1-GT
    SI4010-B1-GT

    SI4010-B1-GT

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Silicon Labs

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，原裝正品

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共2條 
  • 1
SI4010-B1-GT PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 射頻發(fā)射器 SoC RF transmitter with 8051
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Micrel
  • 類型
  • ASK Transmitter
  • 封裝 / 箱體
  • SOT-23-6
  • 工作頻率
  • 300 MHz to 450 MHz
  • 封裝
  • Reel
SI4010-B1-GT 技術(shù)參數(shù)
  • SI4010-B1-GS 功能描述:RF Transmitter FSK, OOK 27MHz ~ 960MHz 10dBm 100 kBaud PCB, Surface Mount Antenna 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 制造商:silicon labs 系列:EZRadio? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 頻率:27MHz ~ 960MHz 應(yīng)用:車庫(kù)門開(kāi)啟器，RKE，安全警報(bào) 調(diào)制或協(xié)議:FSK，OOK 數(shù)據(jù)速率（最大值）:100 kBaud 功率 - 輸出:10dBm 電流 - 傳輸:19.8mA 數(shù)據(jù)接口:PCB，表面貼裝 天線連接器:PCB，表面貼裝 存儲(chǔ)容量:4kB RAM 特性:8051 MCU 內(nèi)核，無(wú)晶操作 電壓 - 電源:1.8 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:56 SI3865DDV-T1-GE3 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:CNAD SWITCH WITH LEVEL-SHIFT - Tape and Reel 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6TSOP 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N / P-Channel 12 V 0.054 O Surface Mount Mosfet Load Switch - TSOP-6 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Dual N / P-Channel 12 V 0.054 O Surface Mount Mosfet Load Switch - TSOP-6 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Power Switch ICs - Power Distribution 12V 2.8A .83W SI3865CDV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 2.8A 0.83W 60mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube SI3865CDV-T1-E3 功能描述:MOSFET 1.8-12V 2.8A 1.5-8V Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube SI3865BDV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 8.0V 2.9A 0.83W 60mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube SI4012-C1001GT SI4012-C1001GTR SI-40131 SI-40138 SI-40141 SI-40143 SI-40144 SI4020-I1-FT SI4020-I1-FTR SI4021-A1-FT SI4021-A1-FTR SI4022-A0-FT SI4022-A0-FTR SI4022-A1-FT SI4030-A0-FM SI4030-B1-FM SI4030-B1-FMR SI4031-A0-FM
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