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STL23NS3LLH7

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • STL23NS3LLH7
    STL23NS3LLH7

    STL23NS3LLH7

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • ST/意法

  • DFN33

  • 22+

  • -

  • 每一片都來自原廠，正品保證

  • STL23NS3LLH7
    STL23NS3LLH7

    STL23NS3LLH7

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人：張先生/雷小姐

    電話：0755-8279802015814679726（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務）

    地址：華強街道賽格廣場55樓5566室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • ST/意法

  • DFN33

  • 21+原廠授權

  • -

  • ★原廠授權★價超代理★

  • STL23NS3LLH7
    STL23NS3LLH7

    STL23NS3LLH7

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • ST

  • DFN33

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

  • STL23NS3LLH7
    STL23NS3LLH7

    STL23NS3LLH7

  • 深圳市銘昌源科技有限公司
    深圳市銘昌源科技有限公司

    聯(lián)系人：優(yōu)質現(xiàn)貨代理商

    電話：0755-82774613鄧先生（13480915249）微信同步0755-82774613鄧先生

    地址：深圳市福田區(qū)工發(fā)路上步管理大廈501棟501室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 62096

  • STMicroelectronics

  • SMD

  • 22+

  • -

  • 優(yōu)勢代理，公司現(xiàn)貨可開票

  • STL23NS3LLH7 MOS(場效應管)
    STL23NS3LLH7 MOS(場效應管)

    STL23NS3LLH7 MOS(場效應管)

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 9903

  • ST/意法

  • DFN33

  • 22+

  • -

  • 原裝正品現(xiàn)貨 可開增值稅發(fā)票

  • STL23NS3LLH7
    STL23NS3LLH7

    STL23NS3LLH7

  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯(lián)系人：李瑞兵

    電話：18897698645

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強電子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • ST

  • 22+

  • -

  • 原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共23條 
  • 1
STL23NS3LLH7 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V 92A PWRFLAT8
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • STripFET? H7
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標準
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
  • 92A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 3.7 毫歐 @ 11.5A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 2.3V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
  • 13.7nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
  • 2100pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
  • 50W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerVDFN
  • 供應商器件封裝
  • PowerFlat?（3.3x3.3）
  • 標準包裝
  • 1
STL23NS3LLH7 技術參數(shù)
  • STL23NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 19.5A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:19.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:70nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2050pF @ 50V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應商器件封裝:PowerFlat?（8x8） HV 標準包裝:1 STL23NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 2.8A PWRFLT 8X8 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.8A（Ta），14A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:210 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1330pF @ 50V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應商器件封裝:PowerFlat?（8x8） HV 標準包裝:1 STL22N65M5 功能描述:MOSFET N CH 650V 15A PWRFLT8X8HV 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:210 毫歐 @ 8.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:36nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1345pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應商器件封裝:PowerFlat?（8x8） HV 標準包裝:1 STL225N6F7AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:98nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:6500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:188W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 毫歐 @ 60A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6） 封裝/外殼:8-PowerVDFN 標準包裝:1 STL220N6F7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 260A 8PWRFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:260A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6600pF @ 25V 功率 - 最大值:4.8W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFLAT（6x5） 標準包裝:1 STL260N3LLH6 STL26NM60N STL285N4F7AG STL28N60DM2 STL2N80K5 STL30N10F7 STL30P3LLH6 STL31N65M5 STL-3-250-3-01 STL-3-250-8-01 STL-3-350-3-01 STL-3-350-8-01 STL33N60DM2 STL33N60M2 STL33N65M2 STL-3-450-3-01 STL-3-450-8-01 STL34N65M5
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