STL3N80K5

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

STL3N80K5
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會(huì)軒3607
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
86900
STMicroelectronics
18+
-
MOSFET N-CH 800V 2.5...

STL3N80K5
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：王女士
電話：13969210552
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
4500
STMICROELECTRONICS
NA
近兩年
-
查貨可到京北通宇商城www.jbchip...

STL3N80K5
深圳市銘昌源科技有限公司
深圳市銘昌源科技有限公司
聯(lián)系人：優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨代理商
電話：0755-82774613鄧先生（13480915249）微信同步0755-82774613鄧先生
地址：深圳市福田區(qū)工發(fā)路上步管理大廈501棟501室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5492
STMicroelectronics
SMD
22+
-
授權(quán)分銷商，可追溯原廠可含稅

STL3N80K5
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
6002
ST/意法半導(dǎo)體
PowerFLAT-5x6-VHV-8
22+
-
原裝正品現(xiàn)貨可開(kāi)增值稅發(fā)票

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共8條
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您是不是要找： STL3NK40 STL3NM60N STL3P6F6 STL40C30H3LL STL40DN3LLH5 STL40N10F7 STL40N75LF3 STL42N65M5 STL42P4LLF6

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STL3N80K5 技術(shù)參數(shù)

STL3N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT22 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:7.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:408pF @ 25V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-PowerWDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（2x2）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL38N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT8X 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.5A（Ta），22.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 12.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:71nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3000pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（8x8） HV 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL36N55M5 功能描述:MOSFET N-CH 550V 22.5A 4PWRFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:550V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:22.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 16.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:62nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2670pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（8x8） HV 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL36DN6F7 功能描述:MOSFET 2 N-CH 60V 33A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:33A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:27 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:420pF @ 30V 功率 - 最大值:58W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL35N6F3 功能描述:MOSFET N-CH 60V 44A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:22 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL42P6LLF6 STL-450-3-01 STL-450-3-19 STL-450-8-01 STL45N65M5 STL45P3LLH6 STL4LN80K5 STL4N10F7 STL4N80K5 STL4P2UH7 STL4P3LLH6 STL50DN6F7 STL50N6F7 STL50NH3LL STL51N3LLH5 STL52N25M5 STL55NH3LL STL56N3LLH5