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STB33N60DM2

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • STB33N60DM2
    STB33N60DM2

    STB33N60DM2

    現(xiàn)貨
  • 上海航霆電子技術(shù)有限公司
    上海航霆電子技術(shù)有限公司

    聯(lián)系人：林生18701789587

    電話：0755-8374259418701789587

    地址：上海徐匯區(qū)漕溪路222號航天大廈16層

  • 1000

  • STM

  • SOP

  • 19+

  • -

  • 全新原廠原裝正品，只做原裝，可開增票

  • STB33N60DM2
    STB33N60DM2

    STB33N60DM2

    現(xiàn)貨
  • 甄芯網(wǎng)
    甄芯網(wǎng)

    聯(lián)系人：柯

    電話：0755-836658130755-83465652

    地址：深南中路佳和大廈B座907

  • 77

  • ST

  • TO-263-3

  • 1825+

  • -

  • 全新原裝進(jìn)口

  • STB33N60DM2
    STB33N60DM2

    STB33N60DM2

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • STB33N60DM2
    STB33N60DM2

    STB33N60DM2

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場D座16層18B

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 130000

  • ST/意法

  • NA

  • 23+

  • -

  • 18萬條庫存，一站式配齊

  • STB33N60DM2
    STB33N60DM2

    STB33N60DM2

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • ST

  • TO-263

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

  • 1/1頁 40條/頁 共10條 
  • 1
STB33N60DM2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 24A
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • MDmesh? DM2
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
  • 24A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 130 毫歐 @ 12A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
  • 43nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
  • 1870pF @ 100V
  • 功率 - 最大值
  • 190W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • D2PAK
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
STB33N60DM2 技術(shù)參數(shù)
  • STB32NM50N 功能描述:MOSFET N CH 500V 22A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:22A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:62.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1973pF @ 50V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263（D2Pak） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB32N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:24A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:119 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3320pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB31N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:22A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:148 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1865pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB30NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:25A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 12.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2800pF @ 50V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB30NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:25A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 12.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:91nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2700pF @ 50V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB36NF06LT4 STB36NM60N STB36NM60ND STB37N60DM2AG STB38N65M5 STB3N62K3 STB3NK60ZT4 STB40100CTR STB4045CTR STB4080CTR STB40N20 STB40N60M2 STB40NF10LT4 STB40NF10T4 STB40NF20 STB40NS15T4 STB42N60M2-EP STB42N65M5
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