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STB50N25M5
深圳市琦凌凱科技有限公司
深圳市琦凌凱科技有限公司
聯(lián)系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號(hào)賽格科技園4棟中10層10A19
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
6000
ST
D2PAK
22+
-
十年配單，只做原裝

STB50N25M5
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
3000
STMicroelectronics
D2Pak，TO-263（2 引線 +
09+
-
全新原裝100%正品保證質(zhì)量

STB50N25M5
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯(lián)系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F
16800
ST/意法
TO-263
22+
-
每一片都來(lái)自原廠，正品保證

STB50N25M5
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
聯(lián)系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開(kāi)13%增票，3
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北電子科技大夏A座36樓C09
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
18530
ST
D2PAK
23+
-
全新原裝正品現(xiàn)貨

STB50N25M5
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
3000
STMicroelectronics
D2Pak，TO-263（2 引線 +
09+
-
全新原裝100%正品保證質(zhì)量

STB50N25M5
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會(huì)軒3607
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
86900
STMicroelectronics
D2PAK
18+
-
MOSFET N-CH 250V 28A...

STB50N25M5
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889159
地址：江蘇省無(wú)錫市新區(qū)新梅路68號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
isc,iscsemi
D2PAK/TO-263
2024+
-
國(guó)產(chǎn)品牌，可替代原裝

STB50N25M5
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
25525
VB
TO-263
15+
-
全新原裝現(xiàn)貨

STB50N25M5
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：何芝
電話：19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
3526
ST
D2PAK
14+
-
原裝正品，現(xiàn)貨庫(kù)存，400-800-03...

STB50N25M5
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
ST
TO-263
最新批號(hào)
-
一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

STB50N25M5
深圳市桂鵬科技有限公司
深圳市桂鵬科技有限公司
聯(lián)系人：田小姐/高先生/李小姐
電話：0755-828102988281039882810298
地址：深圳市羅湖區(qū)寶安南路國(guó)都大廈-國(guó)麗15D（地王大廈周邊）
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
82810298
15+
-
深圳現(xiàn)貨★原廠品質(zhì)★提供PCB板配單業(yè)務(wù)

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功能描述
MOSFET N-Channel 150V to 400V
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

STB50N25M5 技術(shù)參數(shù)

STB4NK60ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:26nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:510pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB4NK60Z-1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:26nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:510pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STB4N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 3.8A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:620V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.8A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.95 歐姆 @ 1.9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:450pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB46N30M5 功能描述:MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:53A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 26.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:95nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4240pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB45NF06T4 功能描述:MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:38A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:58nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:980pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:175°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-4，D2Pak（3 引線+接片），TO-263AA 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB5NK50Z-1 STB5NK50ZT4 STB5NK52ZD-1 STB60100CTR STB60N55F3 STB60NE06L-16T4 STB60NF06LT4 STB60NF06T4 STB60NF10-1 STB60NF10T4 STB60NH02LT4 STB6N52K3 STB6N60M2 STB6N62K3 STB6N65K3 STB6N65M2 STB6N80K5 STB6NK60Z-1

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