- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374641 > S-93C66AFT (Electronic Theatre Controls, Inc.) CMOS SERIAL E2PROM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S-93C66AFT |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | CMOS SERIAL E2PROM |
| 中文描述： | 的CMOS串行E2PROM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 29/53頁(yè) |
| 文件大小： | 214K |
| 代理商： | S-93C66AFT |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)當(dāng)前第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)
28
N
+
N
+
Drain electrode
Select gate electrode
Control gate electrode
Source electrode
CG
FG
Thin oxide film
UTO
GND
SG
N
+
P substrate
[Data rewrite]
Data rewrite refers to the injection or removal of electrons into or from the FG. In this process, electrons
pass through a thin oxide film (UTO). The oxide film inherently acts as an insulator, but in this case the
film conducts electricity (electrons are transferred).
[Data retention]
Data retention refers to the prevention of leakage of electrons stored in the FG. This must be assured
for at least 10 years.
To meet the above stated contradictory properties, high-quality thin oxide films (UTO) must be
manufactured. Such UTOs are very thin (on the order of 10 nm), and stably manufacturing them
requires a very difficult technique.
<Remarks>
FAQ No.: 12022
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S-93C66AMFN | CMOS SERIAL E2PROM |
| S-93C46A | High Speed, Low Power 1K-bit EEPROM(高速，低功耗1K位串行EEPROM) |
| S-93C66A | High Speed, Low Power 4K-bit EEPROM(高速，低功耗4K位串行EEPROM) |
| S-93C56A | CMOS SERIAL E2PROM |
| S-AU27AH | 25W FM RF POWER AMPLIFIER MODULE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S-93C66AFT-TB | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 4K (256X16) 3-Wire RoHS:否 制造商:Atmel 存儲(chǔ)容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時(shí)鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| S-93C66AMFN | 制造商:SII 制造商全稱:Seiko Instruments Inc 功能描述:CMOS SERIAL E2PROM |
| S-93C66AMFN-TB | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 4K (256X16) Hi-Speed RoHS:否 制造商:Atmel 存儲(chǔ)容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時(shí)鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| S-93C66B | 制造商:SII 制造商全稱:Seiko Instruments Inc 功能描述:CMOS SERIAL E2PROM |
| S-93C66BD0H-D8S1G | 制造商:SII 制造商全稱:Seiko Instruments Inc 功能描述:CMOS SERIAL E2PROM |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。