參數(shù)資料
型號(hào)： S-80860CLNB-B7L-T2
廠商： Seiko Instruments Inc.
英文描述： ER 14C 14#16 SKT RECP BOX
中文描述： 超小型封裝高精度電壓檢測(cè)器
文件頁(yè)數(shù)： 15/54頁(yè)
文件大?。?/td> 672K
代理商： S-80860CLNB-B7L-T2
Rev.3.2
_00
ULTRA-SMALL PACKAGE HIGH-PRECISION VOLTAGE DETECTOR
S-808xxC Series
Seiko Instruments Inc.
15
1-2. Detection Voltage Typ.1.5 V or More Products
Table 15
(Ta
=
25
°
C unless otherwise specified)
Item
Symbol
Condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test
circuit
Detection voltage
*1
V
DET
V
DET(S)
×
0.98
V
DET
×
0.03
0.95
V
DET(S)
V
DET
×
0.05
0.8
0.8
0.9
0.9
V
DET(S)
×
1.02
V
DET
×
0.08
2.4
2.4
2.7
2.7
10.0
V
1
Hysteresis width
V
HYS
Current consumption
Operating voltage
I
SS
V
DD
V
DD
=
3.5 V
V
DD
=
4.5 V
V
DD
=
6.0 V
V
DD
=
7.5 V
S-80815 to 26
S-80827 to 39
S-80840 to 56
S-80857 to 60
μ
A
V
2
1
Output current
I
OUT
Output transistor,
Nch, V
DS
=
0.5 V
V
DD
=
1.2 V
S-80815 to 60
V
DD
=
2.4 V
S-80827 to 60
0.59
1.36
mA
3
2.88
4.98
Leakage current
I
LEAK
Output transistor,
Nch, V
DS
=
10.0 V, V
DD
=
10.0 V
100
nA
Response time
Detection voltage
temperature
coefficient
*2
*1.
V
DET
: Actual detection voltage value,
V
DET(S)
: Specified detection voltage value (The center value of the
detection voltage range in
Table 1 to 2
.)
*2.
The temperature change ratio in the detection voltage [mV/°C] is calculated by using the following equation.
[
Ta
Ta
*1.
Temperature change ratio of the detection voltage
*2.
Specified detection voltage
*3.
Detection voltage temperature coefficient
t
PLH
60
μ
s
1
DET
DET
V
Ta
V
Ta
=
40
°
C to
+
85
°
C
±
100
±
350
ppm/
°
C
]
(
)
[ ]
V
[
]
1000
C
ppm/
V
V
Typ.
V
C
mV/
V
DET
DET
DET(S)
DET
÷
°
×
=
°
3
*
2
*
*1
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PDF描述
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