參數(shù)資料
型號(hào)： S-80830
廠商： Seiko Instruments Inc.
英文描述： 3.0 V±2.0% Super-Small Package High-Precision Voltage Detector(微型封裝，檢測(cè)范圍3.0 V±2.0%，高精度電壓檢測(cè)器)
中文描述： 為3.0 V ± 2.0％，超小型封裝高精度電壓檢測(cè)器（微型封裝，檢測(cè)范圍為3.0 V ± 2.0％，高精度電壓檢測(cè)器）
文件頁數(shù)： 10/36頁
文件大小： 308K
代理商： S-80830
SUPER-SMALL PACKAGE HIGH-PRECISION VOLTAGE DETECTOR
S-808 Series
Seiko Instruments Inc.
9
3.
Detection voltage (2.7 V to 3.9 V)
(Unless otherwise specified: Ta=25
°
C)
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test
circuit
S-80827AX
2.646
2.700
2.754
S-80828AX
2.744
2.800
2.856
S-80829AX
2.842
2.900
2.958
S-80830AX
2.940
3.000
3.060
S-80831AX
3.038
3.100
3.162
S-80832AX
3.136
3.200
3.264
Detection voltage
-V
DET
S-80833AX
S-80834AX
3.234
3.332
3.300
3.400
3.366
3.468
V
1
S-80835AX
3.430
3.500
3.570
S-80836AX
3.528
3.600
3.672
S-80837AX
3.626
3.700
3.774
S-80838AX
3.724
3.800
3.876
S-80839AX
3.822
-V
0.03
3.900
-V
DET
×
0.05
3.978
-V
DET
×
0.08
Hysteresis width
V
HYS
V
1
Current
consumption
Operating voltage
I
SS
V
DD
=4.5V
—
0.9
2.7
μ
A
2
V
DD
0.95
—
0.50
10.0
V
1
Nch
V
DD
=1.2V
0.23
—
Output current
V
DS
=0.5V
V
DD
=2.4V
1.60
3.70
—
3
I
OUT
Pch(CMOS
output)
mA
V
DD
=4.8V
0.36
0.62
—
4
V
DS
=0.5V
Nch(Nch
open drain)
Leakage current of
output transistor
I
LEAK
V
DS
=10.0
V
V
DD
=10.0
V
—
—
0.1
μ
A
3
Response time
tPLH
—
—
60
μ
s
1
S-80827AX
—
±
0.32
±
0.96
S-80828AX
—
±
0.33
±
0.99
S-80829AX
—
±
0.34
±
1.02
S-80830AX
—
±
0.35
±
1.05
Temperature
S-80831AX
—
±
0.36
±
1.08
characteristic of
-V
DET
Ta=-40
°
C
S-80832AX
—
±
0.38
±
1.14
mV/
°
C
1
-V
DET
Ta
to +85
°
C
S-80833AX
—
±
0.39
±
1.17
S-80834AX
—
±
0.40
±
1.20
S-80835AX
—
±
0.41
±
1.23
S-80836AX
—
±
0.42
±
1.26
S-80837AX
—
±
0.44
±
1.32
S-80838AX
—
±
0.45
±
1.35
S-80839AX
—
±
0.46
±
1.38
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