- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373321 > RRP-T-104PK2 KUPFERDRAHT VERZINNT 0.25MM 24M Inhalt pro Packung: 2 Stk. PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | RRP-T-104PK2 |
| 英文描述： | KUPFERDRAHT VERZINNT 0.25MM 24M Inhalt pro Packung: 2 Stk. |
| 中文描述： | KUPFERDRAHT VERZINNT 0.25 24M服務(wù)Inhalt親Packung：2沙頭角。 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 125K |
| 代理商： | RRP-T-104PK2 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RRS-G-102 | GLUE STRIPS 152MM Inhalt pro Packung: 20 Stk. |
| RRS-P-102 | PRESS STRIPS 51MM Inhalt pro Packung: 20 Stk. |
| RRS-K-106 | WIRING SYSTEM |
| RRS2-315 | (22.83 k) |
| RRS2-418 | (22.83 k) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RRQ020P03TCR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 30V 2A 6-PIN TSMT T/R - Tape and Reel 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2A TSMT6 |
| RRQ030P03 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:4V Drive Pch MOSFET |
| RRQ030P03TR | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3A TUMT6 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| RRQ045P03 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:4V Drive Pch MOSFET |
| RRQ045P03TR | 功能描述:MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -30V, -4.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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