參數(shù)資料
型號： RFD3055RLE
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-251
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 12A條（?。﹟至251
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 208K
代理商： RFD3055RLE
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PDF描述
RFD3055RLESM TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-252
RFL1N08L TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 1A I(D) | TO-39
RFL1N20L TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 1A I(D) | TO-39
RFL2N05L TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-39
RFM10N12L TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 120V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-3
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
RFD3055RLESM 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-252
RFD3055RLESM9A 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
RFD3055SM 功能描述:MOSFET Power MOSFET N-Ch 6V/12a/.15 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RFD3055SM_Q 功能描述:MOSFET Power MOSFET N-Ch 6V/12a/.15 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RFD3055SM9A 功能描述:MOSFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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