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參數(shù)資料
| 型號： | RDHA720SF06A1NK |
| 元件分類： | 繼電器，輸入/輸出模塊 |
| 英文描述： | TRANSISTOR OUTPUT SOLID STATE RELAY, 1000 V ISOLATION-MAX |
| 封裝： | HERMETICALLY SEALED, SURFACE MOUNT PACKAGE-5 |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | RDHA720SF06A1NK |
2
www.irf.com
RDHA720SF06A1NK
For notes, please refer to page 3
Pre-Irradiation
Electrical Characteristics @ -55°C
dTCd+125°C (Unless Otherwise Specified)
Parameter
Group A
Test Conditions
Symbol Min. Typ. Max. Units
Subgroups
1
--
0.030 0.040
2
--
0.045 0.078
1
IDD ≤ 0.5mA, VOUT = 60V
--
25
2
IDD ≤ 0.5mA, VOUT = 48V
--
250
IDD = 20mA, VS = 40V, IO = 20A
PW = 4.0ms, D
≤ 1%
VS = 40V, IO = 20A
PW = 4.0ms, D
≤ 1%
IDD = 20mA, VS = 40V, IO = 20A
PW = 4.0ms, D
≤ 1%
VS = 40V, IO = 20A
PW = 4.0ms, D
≤ 1%
RDS(ON)
--
Rise Time
f
1,2,3
--
Output Leakage Current
IO
A
IDD = 20mA, IO= 20A
ton
Output On-Resistance
1,2,3
Turn-On Delay
f
1,2,3
Turn-Off Delay
f
Fall Time
f
tf
1,2,3
--
ms
0.65
0.2
0.15
0.06
0.85
1.25
toff
--
tr
1.65
0.5
General Characteristics @ -55°CdTCd+125°C (Unless Otherwise Specified)
Parameter
Group A
Test Conditions
Symbol Min. Typ. Max. Units
Subgroups
Input Supply Current
c
IO = 20A
IDD
12
20
40
mA
Input Voltage Drop
1
IIN = 10mA
VL
4.0
5.2
6.8
V
Input-to-Output Leakage Current
1
VI-O = 1.0KVdc, dwell = 5.0s
II-O
--
1.0
A
IDD ≤ 0.5mA, f =1.0MHz, V+= 25V
TC = 25°C
Thermal Resistance
c,d
IDD = 20mA
RTHJC
--
0.65
°C/W
MTBF
MIL-HDBK-217F, SF@Tc= 25°C
4.4
--
MHrs
pF
Output Capacitance
c
COSS
--
2000
--
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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