參數(shù)資料
型號： RD28F1604C3B90
廠商： INTEL CORP
元件分類： 存儲器
英文描述： TVS UNI-DIR 9.0V 400W SMA
中文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66
封裝： 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, SCSP-66
文件頁數(shù)： 58/70頁
文件大?。?/td> 1223K
代理商： RD28F1604C3B90
3VoltIntel
Advanced+BootBlockFlashMemoryStacked-CSPFamily
58
Datasheet
Table28. ProtectionRegisterInformation
Offset
(1)
P=35h
Length
Description
(OptionalFlashFeaturesandCommands)
NumberofProtectionregisterfieldsinJEDECIDspace.
“00h,”indicatesthat256protectionbytesareavailable
ProtectionField1:ProtectionDescription
Thisfielddescribesuser-availableOneTimeProgrammable(OTP)
Protectionregisterbytes.Somearepre-programmedwithdevice-
uniqueserialnumbers.Othersareuserprogrammable.Bits0–15point
totheProtectionregisterLockbyte,thesection’sfirstbyte.The
followingbytesarefactorypre-programmedanduser-programmable.
bits0–7=Lock/bytesJEDEC-planephysicallowaddress
bits8–15=Lock/bytesJEDEC-planephysicalhighaddress
bits16–23=“n”suchthat2
n
=factorypre-programmedbytes
bits24–31=“n”suchthat2
n
=userprogrammablebytes
Addr.
Hex
Code
Value
(P+E)h
1
43:
--01
01
(P+F)h
4
44:
--80
80h
(P+10)h
45:
--00
00h
(P+11)h
46:
--03
8byte
(P+12)h
(P+13)h
NOTE:
1.ThevariablePisapointerwhichisdefinedatCFIoffset15h.
47:
48:
--03
8byte
Reservedforfutureuse
相關PDF資料
PDF描述
RD28F1602C3B90 TVS UNIDIRECT 400W 90V SMA
RD28F3208C3B90 TVS BIDIRECT 400W 90V SMA
RD28F3208C3T70 3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
RD28F3204C3T70 3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
RD28F1602C3T70 3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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RD28F1604C3BD70A 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS 66EBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤
RD28F1604C3T110 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
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