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參數(shù)資料
| 型號： | QT60160-ISG QS129 |
| 廠商： | Atmel |
| 文件頁數(shù)： | 16/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | SENSOR IC MTRX TOUCH16KEY 32-QFN |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 系列： | QMatrix™ |
| 類型： | 電容性 |
| 輸入數(shù)/鍵： | 16 鍵 |
| 分辨率（位）： | 10 b |
| 評估套件： | 可供 |
| 數(shù)據(jù)接口： | I²C，串行，SPI? |
| 電壓基準(zhǔn)： | 外部 |
| 電源電壓： | 1.8V，3.3V，5V |
| 電流 - 電源： | 4.6mA |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 32-VFQFN |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 32-QFN |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 2822 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | 427-1125-6 |
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7 Specifications
7.1 Absolute Maximum Electrical Specifications
Operating temp................................................................................... -40OC to +85OC
Storage temp.................................................................................... -55OC to +125OC
Vdd................................................................................................. -0.5 to +5.5V
Max continuous pin current, any control or drive pin .......................................................... ±10mA
Short circuit duration to ground, any pin ...................................................................... infinite
Short circuit duration to Vdd, any pin........................................................................ infinite
Voltage forced onto any pin............................................................... -0.6V to (Vdd + 0.6) Volts
EEPROM setups maximum writes.............................................................. 100,000 write cycles
7.2 Recommended Operating Conditions
Vdd............................................................................................... +1.8V to 5.25V
Note: the devices will run at a minimum of 1.62V.
Supply ripple+noise........................................................................................ ±5mV
Cx transverse load capacitance per key ................................................................... 2 to 20pF
7.3 DC Specifications
Vdd = 5.0V, Cs = 4.7nF, Rs = 470K; Ta = recommended range, unless otherwise noted
k
60
Internal /RST pullup resistor
Rrst
bits
10
Acquisition resolution
Ar
A
1
Input leakage current
Iil
V
4.2
High output voltage
Voh
V
0.2
Low output voltage
Vol
1.8V <Vdd <5V
V
0.6Vdd
High input logic level
Vhl
1.8V <Vdd <5V
V
0.2Vdd
Low input logic level
Vil
Vdd = 1.8V
Vdd = 3.3V
Vdd = 5.0V
A
3
4
6
Average supply current,
sleeping
Idds
Vdd = 1.8V
Vdd = 3.3V
Vdd = 5.0V
mA
1.02
2.34
4.60
Average supply current,
running
Iddr
Notes
Units
Max
Typ
Min
Description
Parameter
7.4 Timing Specifications
%
±10
Burst modulation, percentage
Fm
kHz
155
Burst center frequency
Fc
BL = 16
BL = 32
BL = 48
BL = 64
s
270
380
490
600
Burst spacing
TBS
Notes
Units
Max
Typ
Min
Description
Parameter
lQ
23
QT60240-ISG R8.06/0906
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