參數(shù)資料
型號(hào)： QSE214C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 光敏三極管
英文描述： Plastic Silicon Infrared Phototransistor
中文描述： PHOTO TRANSISTOR DETECTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 437K
代理商： QSE214C
3
www.fairchildsemi.com
QSE213C/QSE214C Rev. 1.0.0
QSE213C/QSE214C
Plastic
Silicon
Infrared
Phototransistor
Typical Performance Curves
Fig. 2 Radiation Diagram
0
10
20
30
40
50
60
101
100
10-1
10-2
10-3
VCE - COLLECTOR EMITTER VOLTAGE (V)
I D
-
D
ARK
CURRENT
(mA)
I L
-
NORMALIZED
LIGHT
CURRENT
I L
-
NORMALIZED
LIGHT
CURRENT
Fig. 1 Dark Current vs.Collector Emitter Voltage
90
°
0
°
10
°
20
°
30
°
40
°
50
°
60
°
70
°
80
°
100
°
110
°
120
°
130
°
140
°
150
°
160
°
180
°
170
°
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
TA - AMBIENT TEMPERATURE (
°C)
TA - AMBIENT TEMPERATURE (C)
VCE - COLLECTOR - EMITTER VOLTAGE (V)
Fig. 5 Dark Current vs. Ambient Temperature
40
60
80
100
I D
-
NORMALI
ZED
D
ARK
CURRENT
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
Normalized to:
VCE = 25 V
TA = 25C
VCE = 25 V
VCE = 10 V
Fig. 3 Light Current vs. Ambient Temperature
Fig. 4 Light Current vs. Collector to Emitter Voltage
-40
-20
0
20
40
60
80
100
0.1
1
10
Normalized to:
VCE = 5 V
Ie = 0.5 mW/cm2
TA = 25C
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
Normalized to:
VCE = 5 V
Ie = 0.5 mW/cm2
TA = 25C
Ie = 1 mW/cm2
Ie = 0.1 mW/cm2
Ie = 0.2 mW/cm2
Ie = 0.5 mW/cm2
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