參數(shù)資料
型號： Q62702F1531
英文描述： TRANSISTOR R.F SOT363
中文描述： 晶體管射頻SOT363封裝
文件頁數(shù)： 7/7頁
文件大?。?/td> 58K
代理商： Q62702F1531
Semiconductor Group
7
Dec-12-1996
BFP 182W
Power Gain
Gma, Gms = f(VCE):_____
|
S21|2 = f(VCE):---------
f = Parameter
0
2
4
6
8
V
12
V
CE
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
dB
24
G
0.9GHz
1.8GHz
0.9GHz
1.8GHz
I
C=10mA
Intermodulation Intercept Point
IP3=f(IC)
(3rd order, Output,
ZS=ZL=50)
VCE = Parameter, f = 900MHz
0
5
10
15
mA
25
I
C
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
dBm
26
IP
3
8V
5V
3V
2V
1V
Power Gain
Gma, Gms = f(f)
VCE = Parameter
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
GHZ
3.5
f
0
5
10
15
20
25
dB
35
G
10V
2V
0.7V
1V
I
C=10mA
Power Gain |
S21|2= f(f)
VCE = Parameter
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
GHz
3.5
f
0
5
10
15
20
dB
30
S
21
10V
3V
1V
0.7V
I
C=10mA
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PDF描述
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