SI4850EY-T1-E3 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

SI4850EY-T1-E3介紹：

描述 MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC

詳細描述 表面貼裝 N 溝道 60V 6A（Ta） 1.7W（Ta） 8-SO

類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET?

包裝     帶卷（TR）

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 60V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 6A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 22 毫歐 @ 6A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 27nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1.7W（Ta）

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 8-SO

封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）