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NVHL025N65S3 MOSFET SUPERFET3 650V

品牌：
ON
型號：
NVHL025N65S3
類別：
直插
結(jié)構(gòu)：
固定

發(fā)布詢價信息

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產(chǎn)品信息

ON SemIConductor NVHL025N65S3 N通道SUPERFET? III

安森美半導體NVHL025N65S3 N通道SUPERFET? III是一款易于驅(qū)動的高電壓超級結(jié) (SJ) MOSFET，采用電荷平衡技術。該SUPERFET具有出色的低導通電阻和低柵極電荷性能。NVHL025N65S3 SUPERFET可最大限度地降低導通損耗，具有良好的開關性能，并可承受極高的dv/dt速率。該SUPERFET可控制EMI問題，并便于實施設計。典型應用包括汽車PHEV-BEV直流/直流轉(zhuǎn)換器和用于PHEV-BEV的車載充電器。

FEATURES

良好的開關性能

承受極高的dv/dt速率

控制EMI問題

便于實施設計

符合AEC-Q101標準

低有效輸出電容

100%經(jīng)雪崩測試

無鉛，符合RoHS指令

SPECIFICATIONS

650V漏源擊穿電壓 (BVDSS)（最小值）

25mΩ最大靜態(tài)漏級-源級導通電阻 (RDS(on))（10V時）

75A最大漏極電流 (ID)

236nC（典型值）低柵極電荷 (QG)

工作溫度范圍：-55°C至150°C

TO-247-3LD封裝

應用

汽車插電式混合動力電動汽車 (PHEV)-電池電動車 (BEV) 直流/直流轉(zhuǎn)換器

用于PHEV-BEV的車載充電器

NVHL025N65S3性能圖

制造商: ON Semiconductor 產(chǎn)品種類: MOSFET 技術: Si 安裝風格: Through Hole 封裝 / 箱體: TO-247-3 通道數(shù)量: 1 Channel 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V Id-連續(xù)漏極電流: 75 A Rds On-漏源導通電阻: 25 mOhms Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V Vgs - 柵極-源極電壓: 30 V Qg-柵極電荷: 236 nC 最小工作溫度: - 55 C 最大工作溫度: + 150 C Pd-功率耗散: 595 W 配置: Single 通道模式: Enhancement 資格: AEC-Q101 商標名: SuperFET 封裝: Tube 系列: SPM3 晶體管類型: 1 N-Channel 商標: ON Semiconductor 正向跨導 - 最小值: 78.5 S 下降時間: 107 ns 產(chǎn)品類型: MOSFET 上升時間: 109 ns 工廠包裝數(shù)量: 450 子類別: MOSFETs 典型關閉延遲時間: 120 ns 典型接通延遲時間: 43.3 ns

公司介紹

以誠會友，商成于信！深圳市三磚科技有限公司前身為歐美集成總代理（上海）代理，歐美集成總代理（上海）代理有著20年多年的發(fā)展歷程，勵精圖治，在全球大環(huán)境這樣一個激烈競爭的汪洋大海中脫引而出，而今創(chuàng)立深圳市三磚科技有限公司，順應時代發(fā)展潮流，主營集成電路元器件，我司為國巨、風華、厚聲、三星的授權(quán)代理，與國內(nèi)外幾大廠商聯(lián)手,共同拓展中國市場，滿足中國高新技術發(fā)展的需求。三磚科技有限公司也是Intel、Atmel、ADI、TI、Freescale、Maxim、Micron、NS上海代理分銷商，產(chǎn)品主要應用于IT、通信、遙控、航空航天、控制系統(tǒng)、汽車、機械、衛(wèi)星數(shù)等全系列產(chǎn)品，同時在業(yè)界幾大半導體品牌（ ST、ON、PHI、DS ）也有很好的來貨渠道;同時倉庫設在交通便利的皇崗口岸和香港九龍為客戶的需求提供更快捷,更便利的服務。 ‘以誠會友，商成于信’是我們的宗旨。我們將不斷的追求更加卓越的企業(yè)品質(zhì)，成為自動化領域里您最強大的合作伙伴。展望未來，我司正逐步向集團化方向發(fā)展，對于人才管理我們一直在培養(yǎng)精英人才，適應時代需求，培養(yǎng)高精尖人才，研發(fā)新的商業(yè)模式，滿足廣大消費者的需求，成為您的集成電路貼身管家。我司擁有獨立進出口權(quán)以及國外渠道，都是歐美日原廠直接采購，在保證100%原廠正品的基礎上，不僅提供給客戶最優(yōu)惠的價格，而且也能享受到最短的貨期。我司可為客戶提供從技術咨詢、產(chǎn)品銷售、技術支持到售后服務的全程服務。