SI7149ADP-T1-GE3
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零件狀態(tài) | 在售 | |
FET 類型 | P 通道 | |
技術(shù) | MOSFET(金屬氧化物) | |
漏源電壓(Vdss) | 30 V | |
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) | 50A(Tc) | |
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | |
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值) | 5.2 毫歐 @ 15A,10V | |
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250μA | |
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值) | 135 nC @ 10 V | |
Vgs(最大值) | ±25V | |
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值) | 5125 pF @ 15 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 5W(Ta),48W(Tc) | |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安裝類型 | 表面貼裝型 | |
供應(yīng)商器件封裝 | PowerPAK? SO-8 | |
封裝/外殼 | PowerPAK? SO-8 | |
基本產(chǎn)品編號(hào) | SI7149 |
電話:13288088530
聯(lián)系人:林 (先生)
QQ:
郵箱:linxb@jidcon.com
地址:東莞市大朗鎮(zhèn)松木山村德利路1號(hào)2棟2樓
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