2N7002Q-7-F
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產(chǎn)品狀態(tài) | 在售 | |
FET 類型 | ||
技術(shù) | MOSFET(金屬氧化物) | |
漏源電壓(Vdss) | ||
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) | ||
驅(qū)動電壓 | 5V,10V | |
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻 | 5 歐姆 @ 500mA,10V | |
不同 Id 時(shí) Vgs(th) | 2.5V @ 250μA | |
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg) | 0.233 nC @ 10 V | |
Vgs | ±20V | |
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss | 50 pF @ 25 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散 | 370mW(Ta) | |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安裝類型 | ||
供應(yīng)商器件封裝 | SOT-23-3 | |
封裝/外殼 | ||
基本產(chǎn)品編號 |
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