參數(shù)資料
型號： PN2369A
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： Mini size of Discrete semiconductor elements
中文描述： 迷你型離散半導(dǎo)體元件
文件頁數(shù)： 6/6頁
文件大?。?/td> 198K
代理商： PN2369A
P
AC Typical Characteristics
(continued)
Test Circuits
0
- 10
V
IN
V
IN
0.1
μ
F
'A'
500
890
0.1
μ
F
1 K
+6V
V
OUT
0
- 4V
10%
V
OUT
t
s
t
off
10%
90%
V
OUT
V
IN
0
V
OUT
10% Pulse waveform
at point ' A'
t
off
V
BB
= 12 V
V
IN
= - 20.9 V
V
IN
V
OUT
10%
90%
V
IN
0
t
on
t
on
V
BB
= - 3.0 V
V
IN
= + 15.25 V
To sampling oscilloscope
input impedance = 50
Rise Time
≤
1 ns
Pulse generator
V
Rise Time
<
1 ns
Source Impedance = 50
PW
≥
300 ns
Duty Cycle
<
2%
0.0023
μ
F
0.0023
μ
F
0.0023
μ
F
0.0023
μ
F
10
μ
F
10
μ
F
+
+
10 V
11 V
500
91
0.05
μ
F
0.05
μ
F
0.1
μ
F
0.1
μ
F
3.3 K
50
3.3 K
220
50
V
CC
= 3.0 V
V
BB
Pulse generator
V
Rise Time
<
1 ns
Source Impedance = 50
PW
≥
300 ns
Duty Cycle
<
2%
56
FIGURE 1: Charge Storage Time Measurement Circuit
FIGURE 2: t
ON
, t
OFF
Measurement Circuit
POWER DISSIPATION vs
AMBIENT TEMPERATURE
0
25
50
TEMPERATURE ( C)
75
100
125
150
0
0.25
0.5
0.75
1
P
D
SOT-223
SOT-23
TO-92
NPN Switching Transistor
(continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PN268(NC) PHOTOTRANSISTOR | DARLINGTON | 850NM PEAK WAVELENGTH | 30M | LED-2B
PN2907AAMO TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92
PN2907ARA TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92
PN2907ARM TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92
PN35-1 PHOTOVOLTAIC TAPE/CARD READER ARRAY
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參數(shù)描述
PN2369A,126 功能描述:TRANSISTOR NPN 15V TO-92 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
PN2369A_D26Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT Switching Transistor NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN2369A_D27Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Switching Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN2369A_D74Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Switching Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN2369A_D75Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT Switching Transistor NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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