參數(shù)資料
型號(hào): PN100A
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: NPN General Purpose Amplifier(NPN通用放大器)
中文描述: 500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: TO-92, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 3/11頁(yè)
文件大?。?/td> 472K
代理商: PN100A
Typical Characteristics
(continued)
Switching Times vs
Collector Current
10
20
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
30
50
100
200
300
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
300
T
IB1 = IB2 = Ic / 10
V = 10 V
t
s
t
d
t
f
t
r
Power Dissipation vs
Ambient Temperature
0
25
50
TEMPERATURE ( C)
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
600
700
P
D
TO-92
SOT-23
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
100
300
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
β
= 10
B
25
°
C
- 40
°
C
125
°
C
Base-Emitter ON Voltage vs
Collector Current
1
10
100
500
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
B
V = 5V
25
°
C
- 40
°
C
125
°
C
Input and Output Capacitance
vs Reverse Voltage
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V - COLLECTOR VOLTAGE (V)
C
Cib
Cob
f = 1.0 MHz
Collector-Cutoff Current
vs Ambient Temperature
25
50
T - AMBIENT TEMPERATURE ( C)
75
100
125
150
0.1
1
10
I
C
V = 60V
P
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
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PDF描述
PN100 NPN General Purpose Amplifier(NPN通用放大器)
PN200 PNP General Purpose Amplifier(PNP通用放大器)
PN2222A NPN General Purpose Amplifier
PN2222A NPN switching transistor
PN2222A SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR
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參數(shù)描述
PN100A_D26Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN100A_D27Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN100A_D74Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN100A_D75Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN100A_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2