參數(shù)資料
型號： PMN34UP
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 20 V, 5 A P-channel Trench MOSFET
中文描述： 5000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： PLASTIC, SC-74, TSOP-6
文件頁數(shù)： 2/15頁
文件大小： 811K
代理商： PMN34UP
PMN34UP
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Product data sheet
Rev. 1 — 9 May 2011
2 of 15
NXP Semiconductors
PMN34UP
20 V, 5 A P-channel Trench MOSFET
3.
Ordering information
4.
Marking
5.
Limiting values
[1]
Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated, mounting pad for drain 6 cm
2
.
[2]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
Table 3.
Type number
Ordering information
Package
Name
TSOP6
Description
plastic surface-mounted package (TSOP6); 6 leads
Version
SOT457
PMN34UP
Table 4.
Type number
PMN34UP
Marking codes
Marking code
ZY
Table 5.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Limiting values
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
Parameter
drain-source voltage
gate-source voltage
drain current
Conditions
T
j
= 25 °C
Min
-
-8
-
-
-
-
-
-
-55
-55
-65
Max
-20
8
-5
-3.1
-20
540
1385
6250
150
150
150
Unit
V
V
A
A
A
mW
mW
mW
°C
°C
°C
V
GS
= -4.5 V; T
amb
= 25 °C
V
GS
= -4.5 V; T
amb
= 100 °C
T
amb
= 25 °C; single pulse; t
p
≤
10 μs
T
amb
= 25 °C
[1]
[1]
I
DM
P
tot
peak drain current
total power dissipation
[2]
[1]
T
sp
= 25 °C
T
j
T
amb
T
stg
Source-drain diode
I
S
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
source current
T
amb
= 25 °C
[1]
-
-1.5
A
相關PDF資料
PDF描述
PMP1400 Druck Industrial Pressure Sensors
PMU Precision Resistors
PMU-A-R010-1.0 Precision Resistors
PMU-A-R010-2.0 Precision Resistors
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
PMN34UP,115 功能描述:MOSFET 20V 5 A P-CH TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PMN35EN 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 30V 5.1A SOT457 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 5.1A, SOT457 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 5.1A, SOT457; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.1A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.025ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.5V ;RoHS Compliant: Yes
PMN35EN,115 功能描述:MOSFET 30 V, 5.1 A N-CH TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PMN35EN,125 功能描述:MOSFET N-Chan 30V 5.1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PMN38EN 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH30V5.4ASOT457 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,30V,5.4A,SOT457
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