參數(shù)資料
型號(hào)： PMBT5401
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP high-voltage transistor
中文描述： 300 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 43K
代理商： PMBT5401
1999 Apr 15
3
Philips Semiconductors
Product specification
PNP high-voltage transistor
PMBT5401
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
500
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
50
50
50
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
=
120 V
I
E
= 0; V
CB
=
120 V; T
amb
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
=
4 V
V
CE
=
5 V; (see Fig.2)
I
C
=
1 mA
I
C
=
10 mA
I
C
=
50 mA
I
C
=
10 mA; I
B
=
1 mA
I
C
=
50 mA; I
B
=
5 mA
I
C
=
10 mA; I
B
=
1 mA
I
C
=
50 mA; I
B
=
5 mA
I
E
=i
e
= 0; V
CB
=
10 V; f = 1 MHz
I
C
=
10 mA; V
CE
=
10 V;
f = 100 MHz; T
amb
= 25
°
C
I
C
=
200
μ
A; V
CE
=
5 V; R
S
= 2 k
;
f = 10 Hz to 15.7 kHz; T
amb
= 25
°
C
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
emitter cut-off current
DC current gain
50
60
50
100
240
200
500
1
1
6
300
V
CEsat
collector-emitter saturation voltage
mV
mV
V
V
pF
MHz
V
BEsat
base-emitter saturation voltage
C
c
f
T
collector capacitance
transition frequency
F
noise figure
8
dB
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PDF描述
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參數(shù)描述
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PMBT5401,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP HV 300mA 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PMBT5401,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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